集成度高低集成电路按集成度高低的不同可分为：SSIC 小规模集成电路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中规模集成电路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大规模集成电路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大规模集成电路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路（Giga Scale Integration）。导电类型不同因为有些软故障不会引起直流电压的变化。惠山区质量集成电路图片
2、BQFP（quad flat package with bumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见QFP）。3、C－（ceramic）表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP（数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G（G即玻璃密封的意思）。徐州好的集成电路厂家供应集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。
J形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20至40（见SIMM）。63、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照JEDEC（美国联合电子设备工程委员会）标准对SOP所采用的名称（见SOP）。64、SONF（Small Out-Line Non-Fin）无散热片的SOP。与通常的SOP相同。为了在功率IC封装中表示无散热片的区别，有意增添了NF（non-fin）标记。部分半导体厂家采用的名称（见SOP）。
成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447左右。为了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料PGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型PGA（碰焊PGA）。（见表面贴装型PGA）。37、piggy back驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。
但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP的引脚那样多，一般从14到100左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm外，还有0.65mm和0.5mm两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC等。44、QFP（quad flat package）四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼（L）型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称（见CLCC和QFJ）。部分半导体厂家采用的名称。梁溪区常见集成电路生产厂家
GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路（Giga Scale Integration）。惠山区质量集成电路图片
26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。惠山区质量集成电路图片
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