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集成电路基本参数
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集成电路企业商机

11、DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。12、DICP(dual tape carrier package)集成电路双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。宜兴本地集成电路工厂直销

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外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,90年代基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。24、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。惠山区名优集成电路图片无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。

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9、DIL(dual in-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP(dual in-line package)双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是**普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。

因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料两种。53、SH-DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。54、SIL(single in-line)SIP的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。55、SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27mm的72电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM都装配在SIMM里。双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。

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使用单晶硅晶圆(或III-V族,如砷化镓)用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件,然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线,如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量,导线可分为铝制程和铜制程。IC由很多重叠的层组成,每层由图像技术定义,通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层(成为扩散层),一些定义哪里额外的离子灌输(灌输层),一些定义导体(多晶硅或金属层),一些定义传导层之间的连接(过孔或接触层)。所有的组件由这些层的特定组合构成。同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。徐州标准集成电路市价

例如5G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号)。宜兴本地集成电路工厂直销

QUIP的别称(见QUIP)。51、QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。52、SDIP(shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),宜兴本地集成电路工厂直销

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