按外形分集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。集成电路发展历史中国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：1965年-1978年：以计算机和**配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于20KΩ/V的万用表，对某些引脚电压会有较大的测量误差。常州节能集成电路现货
38、PLCC（plastic leaded chip carrier）带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，90年代已经普及用于逻辑LSI、DLD（或程逻辑器件电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84。J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC与LCC（也称QFN）相似。以前，两者的区别*在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装（标记为塑料LCC、PC LP、P－LCC等），已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988年决定，把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN（见QFJ和QFN）。梁溪区质量集成电路销售方法集成电路的产生，任何发明创造背后都是有驱动力的，而驱动力往往来源于问题。
美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。31、MSP（mini square package）QFI的别称（见QFI），在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称（见BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）
但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP的引脚那样多，一般从14到100左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm外，还有0.65mm和0.5mm两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC等。44、QFP（quad flat package）四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼（L）型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。
使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝制程和铜制程。IC由很多重叠的层组成，每层由图像技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。滨湖区本地集成电路厂家价格
本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。常州节能集成电路现货
9、DIL（dual in-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP（dual in-line package）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是**普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip（见cerdip）。常州节能集成电路现货
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