集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由**半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。南京节能集成电路图片
2、BQFP（quad flat package with bumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见QFP）。3、C－（ceramic）表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP（数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G（G即玻璃密封的意思）。南京节能集成电路图片表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝制程和铜制程。IC由很多重叠的层组成，每层由图像技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。
集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。
表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP归为SMD（见SOP）。SOP的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。（见SOP）。60、SOI（small out-line I-leaded package）I形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I字形，中心距1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC（电机驱动用IC）中采用了此封装。引脚数26。61、SOIC（small out-line integrated circuit）SOP的别称（见SOP）。国外有许多半导体厂家采用此名称。62、SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。梁溪区标准集成电路服务热线
前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。南京节能集成电路图片
5、Cerquad集成电路表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G（见QFJ）。南京节能集成电路图片
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