9、DIL（dual in-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP（dual in-line package）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是**普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip（见cerdip）。表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。新吴区名优集成电路图片
45、QFP（FP）（QFP fine pitch）小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP（见QFP）。46、QIC（quad in-line ceramic package）陶瓷QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称（见QFP、Cerquad）。47、QIP（quad in-line plastic package）塑料QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称（见QFP）。48、QTCP（quad tape carrier package）四侧引脚带载封装。TCP封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB技术的薄型封装（见TAB、TCP）。49、QTP（quad tape carrier package）四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993年4月对QTCP所制定的外形规格所用的名称（见TCP）。50、QUIL（quad in-line）南京本地集成电路工厂直销同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名（见DTCP）。
美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。31、MSP（mini square package）QFI的别称（见QFI），在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称（见BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）
凸点陈列载体，BGA的别称（见BGA）。34、PCLP（printed circuit board leadless package）印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN（塑料LCC）采用的名称（见QFN）。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。35、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封装。塑料QFP的别称（见QFP）。部分LSI厂家采用的名称。36、PGA（pin grid array）集成电路陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见QFP）。
集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由**半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。南京本地集成电路工厂直销
用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可提高。新吴区名优集成电路图片
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 [6]新吴区名优集成电路图片
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