四川自主可控至盛ACM

汽车电子对功放的可靠性要求极高，ACM3221通过-40℃至+85℃的宽温工作范围，满足车载环境的严苛条件。在某车型的后排娱乐系统中，ACM3221驱动4Ω车载扬声器，在12V供电下输出功率达10W（通过外部升压电路实现），提供沉浸式音频体验。其93%的效率***降低发热，避免高温导致的性能衰减。此外，芯片的EMI抑制技术有效减少对车载CAN总线的干扰，确保导航、ADAS等系统的稳定运行。在TWS耳机、蓝牙音箱等便携设备中，ACM3221的低功耗特性成为关键优势。某品牌TWS耳机采用ACM3221驱动6mm微动圈单元，在3mW输出功率下实现105dB灵敏度，同时将耳机单次续航从4小时延长至6小时。其1.5μA的待机功耗使耳机在充电盒中存放30天后仍能正常工作，解决用户“电量焦虑”。此外，芯片的小封装（DFN 2.0mm×2.0mm）使耳机内部空间利用率提升20%，为更大电池或降噪麦克风腾出位置。ACM8623在PBTL模式下，单通道输出功率更是高达1×23W（@1% THD+N），能够满足大多数音频应用的需求。四川自主可控至盛ACM

ACM8636通过THX认证，在1kHz、1W输出时THD+N*为0.02%，达到专业级音频标准。在AES17-2015动态范围测试中，实测值达112dB（A加权），超越ADI SSM2305等竞品10dB。在频率响应测试中，20Hz-20kHz范围内平坦度控制在±0.5dB以内，满足Hi-Fi设备要求。某音频实验室对比测试显示，采用ACM8636的音箱在《加州旅馆》现场版测试中，掌声定位精度比传统功放提升40%，观众欢呼声的层次感更清晰。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频方案。广东信息化至盛ACM8628至盛 ACM 芯片凭借先进架构，在温度控制器产品中实现准确的温度调控。

ACM5618特别适用于音频功放等需要动态升压的应用。例如，它可以实现单节电池升压到12V给CLASS D功放供电，实现立体声2X15W 1%失真的系统方案。同时，它还可以结合其他带有动态控制升压的功放，如ACM8623、ACM8625等，进一步发挥CLASS H动态调整升压的优势。ACM5618的供电电压和输出电压范围都非常***，这使得它能够适应多种不同的应用场景。无论是在蓝牙音箱、智能音箱等智能家居产品中，还是在便携打印机、便携电机类产品中，ACM5618都能提供稳定可靠的升压输出。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载，致力于新产品的开发与设计，热情欢迎大家莅临本公司参观考察，共同探讨音界的美妙。

ACM3221还广泛应用于工业控制、医疗设备等领域。在某款工业HMI（人机界面）中，芯片驱动0.5W扬声器实现按键提示音与报警功能，其低底噪特性避免干扰设备运行状态监测。在医疗听诊器中，ACM3221放大心音信号，通过12dB增益提升微弱声音的可听性，助力医生诊断。其宽电压输入（2.5V至5.5V）兼容不同设备的供电系统，简化设计流程。相较于至盛ACM上一代产品ACM3129（2×57W立体声功放），ACM3221在单声道功率密度、功耗控制与集成度上实现***提升。ACM3129虽具备更高输出功率，但静态功耗达5mA，且需外接滤波器，PCB面积增加30%。而ACM3221通过无滤波器设计与动态电源管理，将功耗降低75%，同时封装尺寸缩小60%，更适配微型化设备趋势。此外，ACM3221的THD+N指标从0.1%优化至0.03%，音频质量达到Hi-Fi入门级标准。ACM8623采用先进的PWM（脉宽调制）脉宽调制架构。

ACM3221作为至盛ACM推出的***一代单声道D类音频功率放大器，其**参数聚焦于高效率与低功耗的平衡。该芯片支持2.5V至5.5V宽电压输入，可覆盖单节锂电池（3.7V）到5V USB供电的典型应用场景。在5V供电下，驱动4Ω负载时输出功率达3.2W（1% THD+N），驱动8Ω负载时为1.4W，满足小型音箱、蓝牙耳机等设备的功率需求。其静态功耗低至1.15mA（3.7V时），待机功耗可压缩至1.5μA，较前代产品降低40%，***延长便携设备的续航时间。封装方面提供两种选择：9引脚WLP（1.0mm×1.0mm）和8引脚DFN（2.0mm×2.0mm），其中DFN封装厚度*0.3mm，适配智能手表、TWS耳机等对空间极度敏感的穿戴设备。至盛12S数字功放芯片内置自举电路设计，省去外部升压二极管，BOM成本降低15%。江苏数据链至盛ACM3129A

至盛12S数字功放芯片内部集成12种音效算法模块，可控制左右声道，满足多场景音效定制需求。四川自主可控至盛ACM

ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺，在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层，通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括：MOSFET结构：采用垂直双扩散结构（VDMOS），源极和漏极分别位于芯片两侧，沟道长度*0.3μm，实现低导通电阻（11mΩ@10V栅压）。栅极氧化层：使用ALD（原子层沉积）技术生长5nm厚Al2O3栅氧层，确保栅极漏电流<1nA，提高器件可靠性。金属互连：采用铜互连技术，线宽/线距达0.8μm/0.8μm，寄生电阻<5mΩ，寄生电感<1nH，减少信号延迟。封装方面，ACM8815采用QFN-40封装（尺寸7mm×7mm×1.2mm），底部暴露散热焊盘，通过金线键合实现芯片与引脚的电气连接。封装热阻（RθJC）*2℃/W，满足无散热器设计要求。四川自主可控至盛ACM