福建智能化至盛ACM8628

ACM8815采用双电源供电架构：PVDD（功率电源）：范围4.5V-38V，为H桥GaNMOSFET供电。芯片内部集成LDO稳压器，将PVDD转换为12V栅极驱动电压，确保GaN器件在高压下稳定开关。AVCC（模拟电源）：范围4.5V-38V，为模拟信号处理电路（如输入缓冲、误差放大器）供电。AVCC与PVDD**设计，避免数字噪声通过电源耦合到模拟电路。DVDD（数字电源）：支持3.3V/1.8V双电压，为DSP、I2S接口等数字电路供电。DVDD采用动态电压调节技术，在空闲模式下自动降至1.8V以降低功耗（典型待机功耗<10mW）。电源管理模块还集成过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）和软启动电路。OVP阈值设定为PVDD的110%（如38VPVDD下OVP为41.8V），当电压超过阈值时，芯片在10μs内关闭H桥输出；UVLO阈值为PVDD的90%（如38VPVDD下UVLO为34.2V），确保电源电压稳定后再启动功放。软启动时间可通过外部电容调节（典型值10ms），避免上电瞬间冲击电流损坏扬声器。至盛12S数字功放芯片通过AEC-Q100车规认证，在-40℃至125℃环境下失效率低于10ppm。福建智能化至盛ACM8628

    至盛 ACM 芯片对蓝牙音响音质的提升起到了关键作用。从音频信号的接收开始，芯片凭借其强大的蓝牙接收模块，能够稳定、快速地接收来自音源设备的音频信号，减少信号丢失与干扰，为高质量音频传输奠定基础。在音频解码阶段，芯片先进的解码算法与对多种音频格式的支持，能够准确还原音频文件中的每一个细节，使声音更加真实、饱满。功率放大模块则为扬声器提供了合适的驱动功率，确保扬声器能够充分发挥性能，展现出清晰、洪亮的声音。通过对音质提升的多方位把控，至盛 ACM 芯片能够让用户在使用蓝牙音响时，仿佛置身于音乐会现场，享受到身临其境的音乐体验，极大地提升了蓝牙音响的音质水平，满足了用户对品质高的音乐的追求。广东信息化至盛ACMACM8816芯片工作电压范围宽（4.5V-60V），采用QFN-48封装，效率高且无需外接散热器。

ACM3221通过单一增益控制引脚（GAIN）提供五档固定增益选项：-3dB、0dB、3dB、6dB和12dB，覆盖从近场***到远场扩音的多样化需求。例如，在智能音箱应用中，12dB增益可驱动更大尺寸扬声器，提升低频下潜；而在蓝牙耳机中，0dB增益可避免信号过载导致的失真。增益切换无需外部MCU干预，*需调整该引脚电平即可实时生效，简化硬件设计流程。此外，芯片支持模拟音频输入，可直接连接CD播放器、手机等设备的模拟信号源，省去ADC转换环节，降低系统成本与延迟。

    在家庭影院与 Soundbar 产品中，至盛 ACM 芯片大放异彩。杰科 921d 型号回音壁内置至盛 ACM8625S 芯片，该芯片提供高保真音频处理与高效放大，结合算法技术拓宽声场，实现虚拟 3D 环绕效果，搭配杰科自研 BestDynamic 音频算法，自动优化音频动态范围，提升输出功率，使音质清晰饱满，产品获杜比实验室认证，支持 Dolby Atmos 音效。杰科 ha - 960d 高级家庭影院 5.1.2 声道配置中，同样受益于至盛芯片。如 ACM8625S、ACM8629 等芯片，在不同声道准确发声，提供充沛音频动力，营造影院级震撼感，满足家庭用户对沉浸式影音体验的追求。至盛12S数字功放芯片支持单/双通道duli控制，可灵活配置为2.1声道或四声道输出系统。

ACM3221作为至盛ACM推出的***一代单声道D类音频功率放大器，其**参数聚焦于高效率与低功耗的平衡。该芯片支持2.5V至5.5V宽电压输入，可覆盖单节锂电池（3.7V）到5V USB供电的典型应用场景。在5V供电下，驱动4Ω负载时输出功率达3.2W（1% THD+N），驱动8Ω负载时为1.4W，满足小型音箱、蓝牙耳机等设备的功率需求。其静态功耗低至1.15mA（3.7V时），待机功耗可压缩至1.5μA，较前代产品降低40%，***延长便携设备的续航时间。封装方面提供两种选择：9引脚WLP（1.0mm×1.0mm）和8引脚DFN（2.0mm×2.0mm），其中DFN封装厚度*0.3mm，适配智能手表、TWS耳机等对空间极度敏感的穿戴设备。ACM8816在物联网设备中，低功耗特性延长设备续航时间。福建智能化至盛ACM8628

车载音响系统集成ACM8623，在复杂电源环境下稳定输出好品质音乐，优化驾驶体验。福建智能化至盛ACM8628

ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺，在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层，通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括：MOSFET结构：采用垂直双扩散结构（VDMOS），源极和漏极分别位于芯片两侧，沟道长度*0.3μm，实现低导通电阻（11mΩ@10V栅压）。栅极氧化层：使用ALD（原子层沉积）技术生长5nm厚Al2O3栅氧层，确保栅极漏电流<1nA，提高器件可靠性。金属互连：采用铜互连技术，线宽/线距达0.8μm/0.8μm，寄生电阻<5mΩ，寄生电感<1nH，减少信号延迟。封装方面，ACM8815采用QFN-40封装（尺寸7mm×7mm×1.2mm），底部暴露散热焊盘，通过金线键合实现芯片与引脚的电气连接。封装热阻（RθJC）*2℃/W，满足无散热器设计要求。福建智能化至盛ACM8628