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    芯片制造中的光刻技术是决定芯片制程工艺水平的关键因素之一。光刻技术通过使用紫外线等光源，将设计好的电路图案投射到硅片上，从而确定芯片上晶体管的位置和形状。随着芯片制程工艺不断向更小的纳米级别推进，对光刻技术的精度要求越来越高。目前非常先进的极紫外光刻（EUV）技术能够实现更小的线宽，从而在芯片上集成更多的晶体管。然而，EUV 光刻技术面临着设备昂贵、技术复杂、光源功率不足等诸多挑战，全球只有少数几家企业掌握该技术，这也成为了芯片制造技术竞争的重要领域之一，各大芯片制造商都在努力攻克 EUV 光刻技术的难关，以实现芯片制程工艺的进一步突破。

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