甘肃金刚石器件及电路芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。芯片的集成度不断提高，使得电子设备的体积不断缩小，便携性得到提升。甘肃金刚石器件及电路芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供光电器件及电路技术开发。研究院拥有先进的光电器件及电路制备工艺，能够为客户提供定制化的技术开发方案和工艺加工服务。公司致力于研发光电集成芯片，以应对新体制微波光子雷达和光通信等领域的发展需求。在此领域，光芯片、器件与模块将为通信网络和物联网等应用提供强有力的支撑。无论是在技术研发上，还是在工艺制备上，研究院都秉持着高标准和严谨精神。通过不断创新和努力奋斗，研究院将不断提升产品质量和技术水平，以满足客户的需求。江西化合物半导体芯片设计南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可提供全流程芯片制造工艺技术服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台的微组装服务可以满足客户的不同需求。无论是小尺寸的电子元件还是微型机械器件，平台都能够提供精确、高效的组装解决方案。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台作为一家专业的技术服务机构，致力于为客户提供优良的微组装服务。通过其专业团队和先进设备的支持，平台能够满足不同领域和行业的需求，为客户提供精确、高效的解决方案。平台将竭诚为客户提供服务，助力其在市场中取得更大的竞争优势。

 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备先进的CVD用固态微波功率源技术。CVD技术是一种关键的制备技术，它通过气相反应直接在衬底上生长薄膜，是许多重要材料的制备技术之一。而固态微波功率源则是CVD设备重要组成部分。研究院的固态微波功率源，其技术先进，性能优良，可以广泛应用于化学/物理/电子束气相沉积和磁控溅射等各领域。该技术的应用前景十分广阔。在催化反应、材料制备等领域，CVD已是一种通行的制备技术。该技术的优势不仅在于制备的薄膜质量高，而且操作简单，可实现大规模制备，制备出的薄膜可广泛应用于热电转换器、光学设备、导电薄膜和光伏电池等领域。研究院在CVD用固态微波功率源技术上的研究和应用，将极大地推动该技术的发展并扩大其应用范围。研究院的技术实力，丰富的经验以及创新精神，将为该行业的进一步发展奠定坚实的基础。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的CVD用固态微波功率源产品具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的公共技术服务平台在背面工艺方面具备雄厚实力。公司拥有先进的键合机、抛光台和磨片机等设备，能够高效进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。这些设备不仅确保了工艺的精度和可靠性，还提高了生产效率。此外，公司的公共技术服务平台还具备晶圆键合工艺的支持能力。无论是6英寸还是更小的晶圆，公司都能应对自如。公司拥有介质键合、热压键合、共晶键合和胶粘键合等多种键合技术，其中键合精度达到了2um的业界较高水平。这种高精度的键合工艺能够将不同的晶圆材料完美结合，从而制造出性能专业的芯片。凭借强大的技术实力和专业的服务团队，公司不仅提供专业的技术服务，更致力于不断创新和完善晶圆键合工艺。公司坚信，通过持续的技术创新和优化，中电芯谷的公共技术服务平台将为高科技产业的发展提供强大助力。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发服务。化合物半导体芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供太赫兹放大器系列芯片技术开发服务。甘肃金刚石器件及电路芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成技术开发服务，公司拥有完善的表面处理、键合、转印、粘片、减薄、CMP、腐蚀等工艺技术，具有丰富的材料、器件、电路异质异构集成经验，在集成技术服务方面，可为客户提供定制化集成方案设计和集成工艺开发，在集成芯片制造方面，为客户提供定制化集成器件和芯片制造，异质异构集成技术通过不同材料、器件、工艺和功能的有机融合，是后摩尔时代微电子持续发展的重要途径之一。甘肃金刚石器件及电路芯片开发