重庆碳纳米管芯片加工

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务，如：1）晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；2）衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括：超高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，都是基于先进的技术和设备，以满足客户的不同需求。芯谷高频研究院太赫兹测试能力，可以测试至400GHz的各类元器件、MMIC电路及模块的散射参数测试和器件建模。重庆碳纳米管芯片加工

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司拥有先进的芯片研发与制造能力，能够高效地完成芯片流片，包括太赫兹芯片、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件等各个领域芯片。在芯片制造过程中，公司采用先进的设备和技术。公司拥有一支经验丰富且技术精湛的技术团队，该团队严格按照标准进行操作，确保每一道工序都能符合要求。同时，公司还注重研发创新，不断提高产品的性能。通过持续的技术改进和创新，公司研发的芯片得到了客户的认可和信赖。未来，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将继续努力，进一步提升包括太赫兹器件、微波毫米波芯片、光电器件及电路等的研发与制造能力，为客户提供更好的服务。山东氮化镓器件及电路芯片工艺定制开发南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供GaAs太赫兹SBD管芯技术开发服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务，可进行以下先进集成材料制备和研发：1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；3)AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光量子器件等新一代片上光源平台；4)Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；5)SionSiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；6)GaNonSiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的固态功率源产品以其出色的性能深受客户的认可和好评。从产品的设计、研发到生产制造，研究院确保每一个细节都经过精心打磨，以使产品的性能达到更高的水平。研究院的固态功率源产品不仅在电力、电气自动化、通信等领域广泛应用，而且在新能源领域也展现出了广阔的市场前景。随着社会的不断发展和技术的不断进步，越来越多的行业对于高性能固态功率源的需求也越来越迫切。芯谷高频以其独特的设计理念和先进的生产工艺，成功开发出了一系列符合市场需求的固态功率源产品，可以满足各行业的不同应用需求。未来，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将继续致力于科技创新和产品研发，为客户提供更加高性能的固态功率源产品。芯谷高频公司拥有芯片研发与制造能力，能够高效地完成芯片流片，包括太赫兹、异质异构集成等领域芯片。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的CVD用固态微波功率源产品具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性。湖南微波毫米波芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院公共技术服务平台的光刻工艺技术服务，可以实现50nm级别的芯片制造。重庆碳纳米管芯片加工

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司作为一家专注于高频器件领域的科技企业，拥有丰富的研发经验和技术实力，在芯片代加工和流片能力上也具备较强的实力。在芯片代加工与流片方面，芯谷高频公司自主开发了一系列芯片加工工艺，能够满足客户的不同需求，可以根据客户要求进行单步工艺或多步工艺加工，也可以进行不同规格尺寸的试验片加工，可进行太赫兹/微波毫米波芯片、光电芯片等多种材料器件及电路的流片，能够为客户提供优良的代加工服务。公司依托雄厚的技术力量，展现了较强的芯片代加工和流片能力，这为企业提升核心竞争力，促进科技创新和产业升级提供了强有力支撑。重庆碳纳米管芯片加工