四川化合物半导体器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可以对外提供光电芯片测试服务，包括光电集成芯片在片耦合测试、集成微波光子芯片测试等。在光电芯片测试方面，公司经验丰富，设备先进，能够高效准确地完成多种测试任务。对于光电集成芯片在片耦合性能测试和集成微波光子芯片测试，公司都可以提供专业的测试服务。公司拥有先进的测试设备和设施，可以满足多种测试需求。此外，公司拥有一支专业的研发团队，致力于提高测试技术的精度和效率。公司致力于为客户提供高质量的测试服务，助力光电芯片领域的创新发展。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务。四川化合物半导体器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供光电器件及电路技术开发。研究院拥有先进的光电器件及电路制备工艺，能够为客户提供定制化的技术开发方案和工艺加工服务。公司致力于研发光电集成芯片，以应对新体制微波光子雷达和光通信等领域的发展需求。在此领域，光芯片、器件与模块将为通信网络和物联网等应用提供强有力的支撑。无论是在技术研发上，还是在工艺制备上，研究院都秉持着高标准和严谨精神。通过不断创新和努力奋斗，研究院将不断提升产品质量和技术水平，以满足客户的需求。山东氮化镓芯片测试芯谷高频器件研究院可完成芯片的研发、制造、测试等，可进行单步或多步工艺定制开发，可满足多种工艺要求。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务，如：1）晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；2）衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括：超高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，都是基于先进的技术和设备，以满足客户的不同需求。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可对外提供半导体器件及电路的加工流片服务，可完成太赫兹芯片、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件等各个领域芯片的研发与制造，可提供工艺开发、芯片流片、芯片测试等服务，可进行单步或多步工艺定制开发，可满足多样性的工艺要求。未来，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将继续致力于半导体器件及电路的研发和创新，为行业的发展贡献自己的力量。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的CVD用固态微波功率源产品具有以下特点：采用第三代氮化镓半导体，具有高频率一致性和稳定性, 且具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性；可直接与各类射频CVD设备直接集成，应用于金刚石等材料的生长；可设计与研制不同工作模式的氮化镓基固态微波功率源，满足各类射频CVD设备对高可靠、高集成、高微波特性的技术需求，提升CVD设备的稳定性；主要用于各类射频CVD设备，为其提供微波功率，可扩展应用为微波消毒、微波医疗等领域；本公司可依据客户要求进行各类微波功率大小和功率频率的设计与开发，相对传统微波功率源具有性能高、稳定性好的特性。芯谷高频公司拥有芯片研发与制造能力，能够高效地完成芯片流片，包括太赫兹、异质异构集成等领域芯片。河南光电器件及电路器件及电路芯片工艺技术服务

南京中电芯谷高频器件研究院具备先进的半导体器件及电路的加工流片能力，具备独具创新的技术和研发能力。四川化合物半导体器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务，该芯片相对于Si LDMOS，具有工作频率高、功率大、体积小等优势；相对于传统SiC基GaN芯片，具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势；适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片；南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务；该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。四川化合物半导体器件及电路芯片设计