江西碳纳米管器件及电路芯片工艺技术服务

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片，晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。公司的加工流片技术具有多项先进的特点和优势。首先，公司采用了先进的工艺设备，保证了工艺的稳定性。其次，公司拥有丰富的流片加工经验，能够根据客户的需求进行流片加工和定制化开发。再次，公司注重研发创新，不断引入先进的材料和技术，提升性能。同时，公司具备较为完备的检测能力，可以确保产品的质量。研究院将不断提高研发水平和服务能力，确保客户满意。芯谷高频研究院的固态微波功率源可设计不同工作模式的功率源，满足对高可靠、高集成、高微波特性的需求。江西碳纳米管器件及电路芯片工艺技术服务

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务，如：1）晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；2）衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括：超高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，都是基于先进的技术和设备，以满足客户的不同需求。安徽化合物半导体芯片工艺技术服务芯谷高频研究院的热物性测试仪产品可满足4英寸量级尺寸以下的任意形状、任意厚度的高导热材料热物性测试。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司作为一家新型研发机构，旨在推动高频器件产业的发展，研究院具有良好的孵化能力。研究院以其较强的技术实力和丰富的行业经验，为上下游企业提供支持和协助。通过技术研发和技术转移，研究院能够帮助企业实现技术创新和产业升级，从而实现更好的发展和壮大。无论是从产品设计与研发，还是从生产与制造，乃至于市场与营销，研究院都可以与企业保持紧密合作。研究院拥有先进的研发设备和仪器，拥有专业的技术人才，能够解决各种复杂的技术问题。同时，研究院还积极与高校和科研机构合作，进行技术交流与合作。通过产学研相结合的方式，共同探索高频器件产业技术的前沿，为企业提供更多的创新动力和发展空间。未来，研究院将继续致力于技术创新，为高频器件产业的持续发展注入新的活力和动力，助力企业实现跨越式发展，走向更加广阔的未来。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于研发创新的散热技术和热管理解决方案。高功率密度热源产品可根据客户需求设计出色的散热效能和优异的热管理能力。这些高功率密度热源产品不仅解决了微系统和微电子领域散热问题，也为相关行业的发展带来了新的契机和可能。微系统和微电子领域的各类散热技术开发和热管理开发将因此获得推动。同时，这些产品的使用还能够提升设备的性能和效能，为微系统和微电子行业的发展打开了更广阔的未来。研究院高功率密度热源产品不仅在解决设备散热问题方面具有重要意义，还通过持续创新和研发，推动了整个行业的发展。芯谷高频研究院可以对外提供光电芯片测试服务，包括光电集成芯片在片耦合测试、集成微波光子芯片测试等。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成技术开发服务，公司拥有完善的表面处理、键合、转印、粘片、减薄、CMP、腐蚀等工艺技术，具有丰富的材料、器件、电路异质异构集成经验，在集成技术服务方面，可为客户提供定制化集成方案设计和集成工艺开发，在集成芯片制造方面，为客户提供定制化集成器件和芯片制造，异质异构集成技术通过不同材料、器件、工艺和功能的有机融合，是后摩尔时代微电子持续发展的重要途径之一。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司拥有先进的硅基氮化镓产品开发技术。黑龙江碳纳米管器件及电路芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供GaAs太赫兹SBD管芯技术开发服务。江西碳纳米管器件及电路芯片工艺技术服务

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发服务，该芯片具有低势垒高度与高截止频率的特点，支持零偏压毫米波、太赫兹混频、检波电路，可大大减小电路噪声，提高电路动态范围，且可以简化系统架构。在太赫兹安检和探测等场景中，零偏太赫兹检波模块是非常重要的器件。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于为客户提供先进的技术解决方案，其服务范围较广，涵盖了整个技术开发周期，包括需求分析、方案设计、器件制造等多个方面。江西碳纳米管器件及电路芯片工艺技术服务