海南异质异构集成芯片流片

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务，该芯片电路工作频段达到1.5THz；适用于工作频率0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成电路设计与加工服务，GaAs薄膜型SBD集成电路是目前主流的技术解决方案。研究院可根据客户需求进行定制化开发，可应用于太赫兹混频、倍频、检波等技术方向。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将不断提高研发水平，为客户提供更好的服务。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品是针对超高导热材料自主研发的。海南异质异构集成芯片流片

    南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备先进的CVD用固态微波功率源技术。CVD技术是一种关键的制备技术，它通过气相反应直接在衬底上生长薄膜，是许多重要材料的制备技术之一。而固态微波功率源则是CVD设备重要组成部分。研究院的固态微波功率源，其技术先进，性能优良，可以广泛应用于化学/物理/电子束气相沉积和磁控溅射等各领域。该技术的应用前景十分广阔。在催化反应、材料制备等领域，CVD已是一种通行的制备技术。该技术的优势不仅在于制备的薄膜质量高，而且操作简单，可实现大规模制备，制备出的薄膜可广泛应用于热电转换器、光学设备、导电薄膜和光伏电池等领域。研究院在CVD用固态微波功率源技术上的研究和应用，将极大地推动该技术的发展并扩大其应用范围。研究院的技术实力，丰富的经验以及创新精神，将为该行业的进一步发展奠定坚实的基础。 浙江金刚石器件及电路芯片加工南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的主要产品之一是高功率密度热源产品，该产品由热源管芯和热源集成外壳组成，并采用了先进的厚金技术。热源管芯的背面可以与任意热沉进行金锡等焊料集成，也满足与外壳集成后，在任意热沉进行机械集成。这种灵活的设计使得热源可以根据客户的要求进行定制，尺寸可以进行调整。这款高功率密度热源产品适用于微系统或微电子领域的热管、微流以及新型材料的散热技术开发。同时，它还可以对热管理技术进行定量的表征和评估。公司可以根据客户的需求，设计和开发各种热源微结构及其功率密度。这款产品不仅具有高功率密度，还具有良好的可定制性和适应性。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的高功率密度热源产品由热源管芯和热源集成外壳组成，并采用了先进的厚金技术。热源管芯的背面可以与任意热沉进行金锡等焊料集成，也满足与外壳集成后，在任意热沉进行机械集成。这种灵活的设计使得热源可以根据客户的要求进行定制，尺寸可以进行调整。这款高功率密度热源产品适用于微系统或微电子领域的热管、微流以及新型材料的散热技术开发。同时，它还可以对热管理技术进行定量的表征和评估。公司可以根据客户的需求，设计和开发各种热源微结构及其功率密度。这款产品不仅具有高功率密度，还具有良好的可定制性和适应性。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司提供异质集成工艺服务，如晶圆键合、衬底减薄、表面平坦化等。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司是一家专注于大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹二极管研发的科技企业。公司凭借着多年来在领域内的经验积累和不断的技术创新，拥有了先进的产品开发技术。作为一家高科技企业，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司注重人才培养和技术研发，致力于在大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品领域中实现技术突破。公司集聚了一支高素质的技术团队，由一批有着丰富经验的工程师组成，公司对于新技术的开发和研究有着敏锐的嗅觉和深入的了解。公司拥有先进的研发设备，这些设备为公司的技术研发提供了良好的平台和条件。在未来，公司将继续加强技术创新和研发投入，致力于成为大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品领域中的创新者。芯谷高频研究院的热物性测试仪可有效解决无法实现大尺寸、微米级厚度、及其超高热导率等材料的热评估难题。四川化合物半导体芯片定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院公共技术服务平台的光刻工艺技术服务，可以实现50nm级别的芯片制造。海南异质异构集成芯片流片

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务，该芯片相对于Si LDMOS，具有工作频率高、功率大、体积小等优势；相对于传统SiC基GaN芯片，具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势；适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片；南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务；该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。海南异质异构集成芯片流片