氧杂质对热导率的影响:AIN极易发生水解和氧化,使氮化铝表面发生氧化,导致氧固溶入AIN晶格中形成铝空位缺陷,这样就会导致声子散射增加,平均自由程降低,热导率也随之降低。因此,为了提高热导率,加入合适的烧结助剂来除去晶格中的氧杂质是一种有效的办法。氮化铝陶瓷的烧结的关键控制要素:AlN是共价化合物,原子的自扩散系数小,键能强,导致很难烧结致密,其熔点高达3000℃以上,烧结温度更是高达1900℃以上,如此高的烧结温度严重制约了氮化铝在工业上的实际应用。此外,AlN表层的氧杂质是在高温下才开始向其晶格内部扩散的,因此低温烧结还有另外一个作用,即延缓烧结时表层的氧杂质向AlN晶格内部扩散,减少晶格内的氧杂质,因此制备高热导率的AlN陶瓷材料,低温烧结技术的研究势在必行。目前工业上,氮化铝陶瓷的烧结有多种方式,可以根据实际需求,采取不同的烧结方法来获得致密的陶瓷体,无论用什么烧结方式,细化氮化铝原始粉料以及添加适宜的低温烧结助剂能够有效降低氮化铝陶瓷的烧结温度。氮化铝具有六方纤锌矿晶体结构,具有密度低、强度高、耐热性好、导热系数高、耐腐蚀等优点。深圳多孔氮化铝供应商
氮化铝的应用:应用于陶瓷及耐火材料,氮化铝可应用于结构陶瓷的烧结,制备出来的氮化铝陶瓷,不但机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,硬度高,还耐高温耐腐蚀。利用AlN陶瓷耐热耐侵蚀性,可用于制作坩埚、Al蒸发皿等高温耐蚀部件。此外,纯净的AlN陶瓷为无色透明晶体,具有优异的光学性能,可以用作透明陶瓷制造电子光学器件装备的高温红外窗口和整流罩的耐热涂层。复合材料,环氧树脂/AlN复合材料作为封装材料,需要良好的导热散热能力,且这种要求愈发严苛。环氧树脂作为一种有着很好的化学性能和力学稳定性的高分子材料,它固化方便,收缩率低,但导热能力不高。通过将导热能力优异的AlN纳米颗粒添加到环氧树脂中,可有效提高材料的热导率和强度。上海片状氮化铝粉体价格氮化铝是一种以共价键相连的物质,它有六角晶体结构,与硫化锌、纤维锌矿同形。
在氮化铝一系列重要的性质中,很为明显的是高的热导率。关于氮化铝的导热机理,国内外已做了大量的研究,并已形成了较为完善的理论体系。主要机理为:通过点阵或晶格振动,即借助晶格波或热波进行热的传递。量子力学的研究结果告诉我们,晶格波可以作为一种粒子——声子的运动来处理。热波同样具有波粒二象性。载热声子通过结构基元(原子、离子或分子)间进行相互制约、相互协调的振动来实现热的传递。如果晶体为具有完全理想结构的非弹性体,则热可以自由的由晶体的热端不受任何干扰和散射向冷端传递,热导率可以达到很高的数值。其热导率主要由晶体缺陷和声子自身对声子散射控制。
具有优良的耐磨损性能,可用作研磨材料和耐磨损零件,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位。将某些易氧化的金属或非金属表面包裹AlN涂层,可以提高其抗氧化、耐磨的性能;也可以用作防腐蚀涂层,如腐蚀性物质的处理器和容器的衬里等。纯度高、致密度高、气孔率少的氮化铝陶瓷呈透明状,可用来制作电子光学器件。也可用作雷达和红外线的透过材料,因此,在国防方面同样具有良好的发展。氮化铝陶瓷同样可以用来制作纳米陶瓷管,可以用在发热板,作载热材料,在微电子工业用途范围较广。若能以较低的成本制备出氮化铝粉末,将会提高其商品化程度。
氮化铝在陶瓷在常温和高温下都具有良好的耐蚀性、稳定性,在2450℃下才会发生分解,可以用作高温耐火材料,如坩埚、浇铸模具。氮化铝陶瓷能够不被铜、铝、银等物质润湿以及耐铝、铁、铝合金的溶蚀,可以成为良好的容器和高温保护层,如热电偶保护管和烧结器具;也可以抵御高温腐蚀性气体的侵蚀,用于制备氮化铝陶瓷静电卡盘这种重要的半导体制造装备的零部件。由于氮化铝对砷化镓等熔盐表现稳定,用氮化铝坩埚代替玻璃来合成砷化镓半导体,可以消除来自玻璃中硅的污染,获得高纯度的砷化镓半导体。氮化铝的热导率也很高,氮化铝在整个可见光和红外频段都具有很高的光学透射率。东莞绝缘氮化铝销售公司
氮化铝的价格高居不下,每公斤上千元的价格也在一定程度上限制了它的应用。深圳多孔氮化铝供应商
直接覆铜陶瓷基板是基于氧化铝陶瓷基板的一种金属化技术,利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上,在铜与陶瓷之间存在很薄的过渡层。由于AlN陶瓷对铜几乎没有浸润性能,所以在敷接前必须要对其表面进行氧化处理。由于DBC基板的界面靠很薄的一层共晶层粘接,实际生产中很难控制界面层的状态,导致界面出现空洞。界面孔洞率不易控制,在承受大电流时,界面空洞周围会产生较大的热应力,导致陶瓷开裂失效,因此还有必要进行相关基础理论研究和工艺条件的优化。活性金属钎焊陶瓷基板是利用钎料中含有的少量活性元素,与陶瓷反应形成界面反应层,实现陶瓷金属化的一种方法。活性钎焊时,通过钎料的润湿性和界面反应可使陶瓷和金属形成致密的界面,但残余热应力大是陶瓷金属化中普遍存在的问题。深圳多孔氮化铝供应商