氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。化学组成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热。此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。性能指标:各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;光传输特性好;无毒。氮化铝一般难以烧结致密,使用添加剂可以在较低温度产生液相,润湿晶粒,从而达到致密化。上海高导热氮化铝厂家
AlN陶瓷金属化的方法主要有:化学镀金属化法是在没有外电流通过的情况下,利用还原剂将溶液中的金属离子还原在呈催化活性的物体表面上,在物体表面形成金属镀层。化学镀法金属化的结合强度很大程度上依赖于基体表面的粗糙度,在一定范围内,基体表面的粗糙度越大,结合强度越高;另一方面,化学镀金属化法的附着性不佳,且金属图形的制备仍需图形化工艺实现。激光金属化法利用激光的热效应使AlN表面发生热分解,直接生成金属导电层。激光照射到AlN陶瓷表面后,陶瓷表面吸收激光的能量,表面温度上升。当AlN表面温度达到热分解温度时,AlN表面就会发生热分解,析出金属铝。具有成本低、效率高、设备维护简单等优点,在生产实践中得到了较广的应用。但是,激光金属化也同样面临着许多问题,如:金属化层表面生成团聚物并呈多孔性,金属化层的附着性差和金属厚度不均等。宁波耐温氮化铝商家与氧化铍不同的是氮化铝无毒,氮化铝用金属处理,能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。
氮化铝选用高纯度且为微粉的“氮化铝粉末”,一般而言氧质量含量在1.2%以下,碳质量含量为0.04%以下,Fe含量为30ppm以下,Si含量为60ppm以下。氮化铝粉体的很大粒径很好控制在20μm以下的氮化铝粉末。此处,“氧”基本上属于杂质,但有防止过分煅烧的作用,因此为了防止煅烧导致的煅烧体强度下降优先选用氧质量含量在0.7%以上的氮化铝粉末。此外,在原料中常含有“煅烧助剂”,大多使用稀土金属化合物、碱土金属化合物、过渡金属化合物等。例如可选用氧化钇或氧化铝等,这些煅烧助剂与氮化铝粉体形成复合的氧化物液相,该液相带来煅烧体的高密度化,同时,提取氮化铝晶粒中属于杂质的氧,以结晶晶界的氧化物进行偏析,从而使氮化铝基板的导热率提高。
氮化铝陶瓷基片(AlN)是新型功能电子陶瓷材料,是以氮化铝粉作为原料,采用流延工艺,经高温烧结而制成的陶瓷基片。氮化铝陶瓷基板具有氮化铝材料的各种优异特性,符合封装电子基片应具备的性质,能高效地散除大型集成电路的热量,是高密度,大功率,多芯片组件等半导体器件和大功率,高亮度的LED基板及封装材料的关键材料,被认为是很理想的基板材料。较广应用于功率晶体管模块基板、激光二极管安装基板、半导体制冷器件、大功率集成电路,以及作为高导热基板材料在IC封装中使用。陶瓷注射成型粘结剂须具备以下条件:流动特性好,注射成型黏度适中,且黏度随温度不能波动太大。
氮化铝因其相对优异的导热性和无毒性质而成为很常用的材料。它具有非常高的导热性和出色的电绝缘性能的非常有趣的组合。这使得氮化铝注定用于电力和微电子应用。例如,它在半导体中用作电路载体(基板)或在 LED 照明技术或大功率电子设备中用作散热器。氮化铝耐熔融铝、镓、铁、镍、钼、硅和硼。氮化铝可以金属化、电镀和钎焊。它也是一种良好的电绝缘体,如果需要,可以很容易地进行金属化。出于这个原因,该材料通常用作散热器或其他需要快速散热的应用。氮化铝可以形成大的形状,也很容易作为薄基板获得。氮化铝主要用于电子领域,特别是当散热是一项重要功能时。高导热性和出色的电绝缘性使氮化铝适用于各种极端环境,尤其适用于要求苛刻的电气应用。氮化铝的特性是高导热性、高电绝缘能力和低热膨胀。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。上海球形氮化硼哪家好
氮化铝可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。上海高导热氮化铝厂家
氮化铝陶瓷基片制造并非易事:氮化铝的很大特点是热膨胀系数(CTE)与半导体硅(Si)相当,且热导率高,理论上氮化铝热导率可达到320W/(m·K),但成本很高。由于制备氮化铝陶瓷的重点原料氮化铝粉体制备工艺复杂、能耗高、周期长、价格昂贵,国内的氮化铝粉体很大程度上依赖进口。原料的批次稳定性、成本也成为国内氮化铝陶瓷基片材料制造的瓶颈。氮化铝基板生产呈地区集中状态,美国、日本、德国等国家和地区是全球很主要的电子元件生产和研发中心,在氮化铝陶瓷基片的研究已远早于国内。日本已有较多企业研发和生产氮化铝陶瓷基片,目前是全球很大的氮化铝陶瓷基片生产国。上海高导热氮化铝厂家
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