湖北一种BOE蚀刻液报价

    蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft～lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发热反应，使得装置外壳稳定较高，工作人员直接接触有烫伤风险，热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应，溅出容易伤害工作人员，保护性不足，盐酸硝酸具有较强的腐蚀性，常规的搅拌装置容易被腐蚀，影响蚀刻液的质量，用防腐蚀的聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌，成本过高，且混合的效果不好。所以，如何设计一种ito蚀刻液制备装置，成为当前要解决的问题。BOE蚀刻液生产厂家就找苏州博洋化学股份。湖北一种BOE蚀刻液报价

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一种蚀刻液，其特征在于，用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛，并且含有：选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸；以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。 根据要求所述硫酮系化合物为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。硫醚系化合物为选自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。进一步含有α-羟基羧酸和/ 或α-羟基羧酸的盐。所述α-羟基羧酸为选自由酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸所组成的群组中的至少一种。酸的浓度为20重量％至70重量％；所述有机硫化合物的浓度为0.01重量％至10重量％。α-羟基羧酸和/或α-羟基羧酸的盐的浓度为0.2重量％至5重量％。在铜的存在下选择性地蚀刻钛。

BOE就是buffer oxide etch，缓冲氧化物刻蚀液。由氢氟酸（49%）与水或氟化铵与水混合而成， B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示49%HF水溶液：40%NH4F水溶液=1：6（体积比）的成分混合而成。刻蚀速度约10nm每秒。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H+〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，如果不小心被溅到，应用大量水冲洗。BOE蚀刻液推荐苏州博洋化学股份有限公司。

    现阶段通常用于金属层蚀刻的铜酸蚀刻溶液主要成分为过氧化氢和一些添加剂；过氧化氢用于对金属进行氧化，而添加剂则主要将氧化物酸化成离子态，使其溶解于溶液中，并且维持蚀刻特性要求。由于过氧化氢同时具有氧化性和还原性，其可以将铜氧化，也可以被金属离子催化发生歧化分解反应，生成氧气。如果此反应速度过快，则会生热乃至引起等安全事故。与此同时，二价铜离子也具有一定的氧化性，当蚀刻时间较长，所述铜酸蚀刻溶液体系内的铜离子含量较高时，溶液的蚀刻特性会发生变化，以至于蚀刻达不到要求，所述铜酸蚀刻溶液不能够再进行蚀刻，即达到蚀刻寿命。基于以上两个方面，过氧化氢体系的铜酸蚀刻溶液寿命较低，一般为当铜酸溶液中铜离子的浓度达到4000-8000百万分比浓度，则不能再使用；并且加入使用新的铜酸蚀刻溶液需要投入更多的成本。苏州BOE蚀刻液公司哪家好？湖南专业BOE蚀刻液图片

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