本发明涉及铜蚀刻液技术领域,具体涉及一种酸性铜蚀刻液的生产工艺。背景技术:高精细芯片和显示集成电路主要采用铜制程,其光刻工艺中形成铜膜层结构所需用的铜刻蚀液中主要的为过氧化氢系铜刻蚀液。过氧化氢系铜蚀刻液较其他铜刻蚀液体系(如三氯化铁体系,过硫酸铵体系)具有不引人其他金属离子在铜层表面或线路体系中,产物亲和、友好、环境污染少,刻蚀效率高且使用寿命较长的特点。大部分过氧化氢系铜刻蚀液包括参与氧化的过氧化氢组分、参与溶解的无机酸/有机酸组分,以及部分铜缓蚀剂等各类添加三个部分。由于铜蚀刻液中各物质的反应为放热反应,体系中又含有过氧化氢在制备铜蚀刻液的生产过程中需要保证生产安全。技术实现要素:本发明的目的在于,克服现有技术中存在的缺陷,提供一种铜蚀刻液大规模量产的生产工艺,该生产工艺温控严格,生产过程中安全性高。为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,所述工艺包括以下步骤:第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用。蚀刻液的分类可以分为哪些?苏州ITO蚀刻液蚀刻液厂家现货

本实用涉及蚀刻设备技术领域,具体为一种ito蚀刻液制备装置。背景技术:蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻,其中,湿蚀刻是采用化学试剂,经由化学反应达到蚀刻的目的,薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft~lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发***热反应,使得装置外壳稳定较高,工作人员直接接触有烫伤风险,热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应,溅出容易伤害工作人员,保护性不足,盐酸硝酸具有较强的腐蚀性,常规的搅拌装置容易被腐蚀,影响蚀刻液的质量,用防腐蚀的聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌,成本过高,且混合的效果不好。所以,如何设计一种ito蚀刻液制备装置,成为当前要解决的问题。技术实现要素:本实用新型的目的在于提供一种ito蚀刻液制备装置,以解决上述背景技术中提出的ito蚀刻液制备装置保护性不足、不具备很好的防腐蚀性和混合的效果不好的问题。为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种ito蚀刻液制备装置,包括制备装置主体、高效搅拌装置和过滤除杂装置。江苏BOE蚀刻液蚀刻液配方技术苏州性价比高的蚀刻液。

以带动该基板20由该喷洒装置50下端部朝向该风刀装置40的该***风刀41下端部的方向移动。该风刀装置40设置于该挡液板结构10的一端部,该风刀装置40包括有一设置于该基板20上方的***风刀41,以及一设置于该基板20下方的第二风刀42,其中该***风刀41与该第二风刀42分别吹出一气体43至该基板20,以将该基板20上的一药液51带往与相反于该基板20的行进方向,以使该基板20上该药液51减少,其中该气体43远离该***风刀41与该第二风刀42的方向分别与该基板20的法线方向夹设有一第三夹角θ3,且该第三夹角θ3介于20度至35度之间。此外,请一并参阅图8与图9所示,为本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图,以及宣泄孔的表面张力局部放大图,其中该宣泄孔121为直通孔的态样,当该风刀装置40的***风刀41与该第二风刀42为了减少该基板(本图式未标示)上所残留的药液51而吹出该气体43时,该气体43碰到该挡液板结构10后部分会往该复数个宣泄孔121流动,并朝向该第二挡板12的该上表面123宣泄而出(如图8所示),除了保有原有挡液板的防止该药液51喷溅而造成的蚀刻不均现象,亦可达到以破真空的原理避免该气体43在该基板20附近形成涡流而造成真空吸引问题;此外。
图7:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的挡液板结构运作局部放大图。图8:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图9:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的宣泄孔的表面张力局部放大图。图10:本实用新型蚀刻设备其二较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图11:本实用新型蚀刻设备其三较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图12:本实用新型挡液板结构其二较佳实施例的宣泄孔的表面张力局部放大图。图13:本实用新型蚀刻方法的步骤流程图。图号说明:传统挡液板结构a挡液板结构b风刀c气体本实用新型1蚀刻设备10挡液板结构11***挡板12第二挡板121宣泄孔1211***壁面1212第二壁面122下表面123上表面13第三挡板20基板30输送装置31滚轮40风刀装置41***风刀42第二风刀43气体50喷洒装置51药液s1步骤一s2步骤二s3步骤三s4步骤四h长度θ夹角θ1***夹角θ2第二夹角θ3第三夹角θ4接触角a0孔径a1上孔径a2下孔径w、w1、w2距离。具体实施方式首先,请参阅图2与图3所示,为本实用新型挡液板结构其一较佳实施例的整体结构示意图,以及宣泄孔排列示意图,其中本实用新型的挡液板结构10适用于一湿式蚀刻机(图式未标示)。铝蚀刻液的配方是什么?

故仍旧会有少量的药液51喷洒在挡液板结构10上而留下该药液51的水滴,而该药液51的水滴亦不能落入该基板20上,以避免基板20的蚀刻不均的现象产生;此外,该输送装置30用以承载并运送至少一该基板20于该湿式蚀刻机内运行,并接受湿式蚀刻的喷洒装置50的制程运作,故该输送装置30具有一驱动机构以驱动该滚轮31转动,以带动该基板20由该喷洒装置50下端部朝向该风刀装置40的该***风刀41下端部的方向移动。步骤三s3:使用一设置于该挡液板结构10下方的风刀装置40对该基板20吹出一气体43,以使该基板20干燥;在本实用新型其一较佳实施例中,该风刀装置40设置于该挡液板结构10的一端部,该风刀装置40包括有一设置于该基板20上方的***风刀41,以及一设置于该基板20下方的第二风刀42,其中该***风刀41与该第二风刀42分别吹出一气体43至该基板20,以将该基板20上的该药液51带往与相反于该基板20的行进方向,以使该基板20降低该药液51残留,其中该气体43远离该***风刀41与该第二风刀42的方向分别与该基板20的法线方向夹设有一第三夹角θ3,且该第三夹角θ3介于20度至35度之间。步骤四s4:该气体43经由该复数个宣泄孔121宣泄;在本实用新型其一较佳实施例中。苏州博洋生产BOE蚀刻液。上海江化微的蚀刻液蚀刻液
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该宣泄孔121的上孔径a1与下孔径a2亦不相等,且该上孔径a1小于该下孔径a2,或该宣泄孔121由该第二挡板12的下表面122朝向上表面123的方向渐缩,以维持毛细现象而避免该药液51滴入该基板20上而造成蚀刻不均的问题。当该风刀装置40的***风刀41与该第二风刀42为了减少该基板(本图式未标示)上所残留的药液51而吹出该气体43时,该气体43碰到该挡液板结构10后部分会往该复数个宣泄孔121流动,并朝向该第二挡板12的该上表面123宣泄而出(如图10与图11所示),除了保有原有挡液板的防止该药液51喷溅而造成的显影不均现象,亦可达到避免该气体43在该基板20附近形成涡流而造成真空吸引问题;为了必须避免由该喷洒装置50喷洒而出的药液51滴入该基板20上而造成蚀刻不均的问题,故该复数个宣泄孔121的孔径a0必须要足够小,例如:孔径a0小于3mm,即可因毛细现象的作用,亦即该水滴于该宣泄孔121孔洞内的夹角θ等于该水滴与该第二挡板12的该上表面123所夹的接触角θ4,而达到防止位于该第二挡板12上表面的药液51水滴经由该复数个宣泄孔121滴下至该基板20上(如图12所示)。另请参阅图13所示,为本实用新型蚀刻设备的蚀刻方法的步骤流程图,其中本实用新型蚀刻设备的蚀刻方法主要包括有下列步骤。苏州ITO蚀刻液蚀刻液厂家现货