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用显微镜观察也难以看出的程度)3：有少量残渣4：基本能剥离，但一部分残渣多5：一半以上能剥离，但一部分残渣多6：基本不能剥离，但一部分剥离7：不能剥离【表2】由该结果可知，在含有溶纤剂的抗蚀剂的剥离液中使用氢氧化钾代替氢氧化钠的本发明组成，与使用氢氧化钠的比较组成相比，即使l/s狭窄，也能除去抗蚀剂。(3)剥离性能的评价方法将液温设为50℃的各剥离液使用喷涂装置向上述试验片实施剥离处理，将试验片的粘性部分的dfr以目视全部面积的90％以上被剥离的时刻作为剥离时间。另外，剥离片尺寸(长边)是采集喷涂停止后附着于设置于试验基板固定用的台上的排渣用网眼的剥离片以目视实施的。此时的喷涂装置的条件设为全锥喷嘴且流量5l/min、压力。将其结果示于表3。(4)金属的浸蚀性的评价方法利用上述评价方法实施将喷涂运行时间固定在10分钟的处理。其后，将基板的镀铜部位通过电子显微镜(日立高新技术制：s-3400n)按照以下的评价基准评价表面形状。其结果也示于表3。<金属浸蚀性的评价基准>(分数)(内容)1：没有变化2：极略微有变化(用显微镜观察也难以看出的程度)3：略有变化4：发生***变色【表3】剥离时间(sec)剥离片尺寸。剥离液，让您的加工过程更加高效。池州半导体剥离液供应商

每一所述第二子管道502与所述公共子管道501连通，所述公共子管道501与所述下一级腔室102连通。其中，阀门开关60设置在每一子管道301上。在一些实施例中，阀门开关60设置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些实施例中，阀门开关60设置在每一第二子管道502上。具体的，阀门开关60的设置位置可以设置在连接过滤器30的任意管道上，在此不做赘述。在一些实施例中，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的剥离液机台100的第四种结构示意图。第二管道50包括多个第三子管道503，每一所述第三子管道503与一子过滤器连通301，且每一所述第三子管道503与所述下一级腔室连通102。其中，阀门开关60设置在每一第三子管道503上。本申请实施例提供的剥离液机台，包括：依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱；过滤器，所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接，所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接；其中，至少在管道或所述第二管道上设置有阀门开关。通过阀门开关控制连接每一级腔室的过滤器相互独立，从而在过滤器被阻塞时通过阀门开关将被堵塞的过滤器取下并不影响整体的剥离进程，提高生产效率。惠州铜蚀刻液剥离液商家剥离液中加入添加剂可保护金属层；

光刻胶残留大，残留分布不均匀，并且产生边缘聚集残留。为了能够进一步地表示配方一和配方二之间的光刻胶残留量对比，图2中将多张单张检测图进行叠加，可以更加清楚地看出两者之间的区别，能够明显地看出使用配方一的剥离液，高世代面板边缘光刻胶残留量大。下面列举更多剥离液组分实施例。表三：不同组分的剥离液表四：测试剥离性能时间30s50s70s90s1okokokok2okokokok3okokokok4okokokok5okokokok6okokokok7okokokok8okokokok9okokokok表三为9组不同组分的所制成的剥离液，9组不同组分的剥离液都进行剥离性能测试，在50℃下分别放入切好的玻璃，进行剥离性能测试，测试结果如表四所示，具有良好的剥离效果。通过上述，本实施方式中的剥离液采用酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂制得，有效地提高了光刻胶的剥离效果，减少了光刻胶的残留。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例。

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按照组成成分和应用工艺不同，湿电子化学品可分为通用性和功能性湿电子化学品。通用湿电子化学品以超净高纯试剂为主，一般为单组份、单功能、被大量使用的液体化学品，按照性质划分可分为：酸类、碱类、有机溶剂类和其他类。酸类包括氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸、磷酸等；碱类包括氨水、氢氧化钠、氢氧化钾等；有机溶剂类包括甲醇、乙醇、异丙醇、**、乙酸乙酯等；其他类包括双氧水等。功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品，即在单一的超净高纯试剂（或多种超净高纯试剂的配合）基础上，加入水、有机溶剂、螯合剂、表面活性剂混合而成的化学品。例如剥离液、显影液、蚀刻液、清洗液等。由于多数功能湿电子化学品是复配的化学品，是混合物，它的理化指标很难通过普通仪器定量检测，只能通过应用手段来评价其有效性。剥离液可以用在哪些制程段上；铜陵哪家剥离液商家

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实施例1～6：按照表1配方将二甲基亚砜、一乙醇胺、四甲基氢氧化铵、硫脲类缓蚀剂、聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂、n-甲基吡咯烷酮和去离子水混合，得到用于叠层晶圆的光刻胶剥离液。表1：注：含量中不满100wt％的部分由去离子水补足余量。以cna披露的光刻胶剥离液作为对照例，与实施例1～6所得用于叠层晶圆的光刻胶剥离液进行比较试验，对面积均为300cm2的叠层晶圆上的光刻胶进行剥离并分别测定剥离周期、金属镀层的腐蚀率和过片量(剥离的面壁数量)。对比情况见表2：表2：剥离周期/s金属腐蚀率/ppm过片量/片实施例1130～15015376实施例2130～15016583实施例3130～15017279实施例4130～15015675实施例5130～15016372实施例6130～15017681对照例180～20022664由表2可知，本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液通过加入硫脲类缓蚀剂和聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，使剥离效率有明显的提升，对金属腐蚀率降低20％以上，而且让过片量提高10％以上。以上所述的*是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。池州半导体剥离液供应商