安徽技术密集BOE蚀刻液私人定做

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    Parasurtidoresencabezalelectrónicoadosadoasucuerpooalacolumnademangueras.)Lasbarrerasdevaportipo1cumpliránlosrequisitossiguientes:1)Labarreradeprotecciónserácontinua;permitiráelpasodecablesytuberíasrí)Elpasodecablesserealizará(EN50018),clá)Nosepercibiráfugaalgunaalaplicaralabarreraunapresióndiferencialdenomenosde1,5bar,)Labarreradevaporcubrirátodalazona1,)Elgradodeprotecciónmecánicadelabarreraserá.ºBarrerasdevaportipo2.(Parasurtidoresconcabezalelectrónicoseparadodesucuerpoodelacolumnademanguerasaunadistancianoinferiorde15mm.)Lasbarrerasdevaportipo2cumpliránlosrequisitossiguientes:1)Labarrerapermitiráelpasodetuberías,cablesyejesríánlapruebaderespiraciónrestringida(CEI)yconsistirá)Elpasodecableenambasbarrerasserealizará)Elgradodeproteccióndecadabarreraseráónserepresentanlosdetallestípicosdeclasificacióndelossurtidoresenfuncióndesuconstrucción.[Figura1][Figura2][Figura3][Figura4])Interiordelostanquesdealmacenamiento。

    0HT260WXC-100CELLHT260WX2-101MV238FHB-N10MV238FHM-N10HT236F01-100HT236F03-100HM236WU1-100HM236WU1-400HM236WU3-100HM236WU3-110HM236WU1-200HR236WU1-100HM236WU1-300HR236WU1-300HM236WU3-200HR236WU1-310HM236WU3-101HM236WU3-201HV236WHB-N00HR230WU1-100HR230WU1-400HR230WU3-500HV230FH2-600HR230WU3-300HR230WU1-500HT220WP1-100HT215F01-100HM215WU1-500HM215WU1-300HM215WU3-100HR215WU1-100HM215WU3-500BOEM215WU1HR215WU1-200HR215WU1-120HR215WU1-210HR215WU3-201HR215WU3-120MT207FHB-N20MT207FHB-N10MT207FHM-N20HT201V01-100HT201V01-101HM200WD1-200HM200WD1-100HT190E01-100HT190WG1-100HT190WG1-101HT190WG1-102HT190WG1-600HT190WG1-601HT190WG3-100HT190WG3-500HT190WG1-602HT190E01-300HT190WG3-101HM190WG3-700MV190E0M-N10HT185WX1-100HT185WX1-500HT185WX1-300HT185WX1-501HM185WX1-400HM185WX3-200HT185WXB-100HM185WX3-400HE185WX1-100HM185WX3-300HM185WX1-300HM185WX3-401HM185WX3-301HT170E01-100HT170E01-101HT170E01-300HT170E01-400HT170E01-500HT170E02-100HT170EX1-100HT170EX1-101HT170EX1-300HT170EX1-600HT156WX1-100HT156WXB-10。BOE蚀刻液，专业配方，稳定可靠，值得信赖。

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    所述的磷酸浓度为82-87％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，醇醚类的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，表面活性剂的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，所述的醇醚类为选自二乙二醇单甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇单甲醚、三甘醇单丁醚等中的至少一种；表面活性剂为选自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、月桂酰氨乙基硫酸钠、醇醚羧酸盐等中的至少一种。进一步地，在使用本发明的蚀刻液进行氮化硅层蚀刻时，蚀刻温度为152-165℃，蚀刻时间为5-60min。通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，改善了磷酸的浸润性和表面张力，明显提高了蚀刻液对氮化硅层的润湿和蚀刻均匀性。为了便于验证氮化硅薄膜层的蚀刻均匀性，本发明使用淀积了氮化硅薄膜的晶圆样片(初始厚度约为)。蚀刻液配制完成后，先使用表面张力仪检测该蚀刻液的表面张力；然后将氮化硅晶圆片切割成1cm*3cm的小样片，采用超纯水清洗和氮气吹干后，使用接触角测量仪检测蚀刻液对氮化硅层的接触角大小。在蚀刻前，使用椭圆偏振光谱仪对氮化硅样片取不同位置共6个点进行厚度的测量。安徽技术密集BOE蚀刻液私人定做