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表%九氟丁基甲基醚和50重量%甲基四氢呋喃的液体混合物的分馏显示出92重量%九氟丁基甲基醚和8重量%甲基四氢呋喃的共沸组合物,其在°C的沸点。实施例2如实施例1所述进行沸点测定方法。表II给出九氟丁基乙基醚和甲基四氢呋喃的各种混合物在。表II九氟丁基乙基醚的重量%甲基四氢呋喃的重量%(°C)%九氟丁基乙基醚和50重量%甲基四氢呋喃的液体混合物的分馏显示出%九氟丁基乙基醚和%甲基四氢呋喃的共沸组合物,其在°C的沸点。清洗试验的总体过程首先,用FORANE141b对2X5cm的不锈钢片材进行脱脂。这些片材各自在测试之前称重,其构成皮重。然后,在这些片材的单侧上涂布油REDUCTELFSP460。对该涂布有油的片材进行称重,并由与皮重的差值推算出涂布的油的量。接下来,将该涂布有油的片材浸5入到含有100ml待评价组合物的烧杯中5分钟,不进行搅拌且无超声。该片材一移出,就在通风的情况下进行15分钟的滴干(dripdry),并且,在该15分钟结束时,通过称重测定油的残留量。与油的初始量相比,计算移除的油的百分数。实施例3在使用九氟丁基甲基醚的组合物的情况下,得到0%的油移除率。实施例4在使用包含8重量%的2-MeTHF和92重量%的九氟丁基甲基醚的组合物的情况下。
本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液,通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂,来改善磷酸的浸润性和表面张力,使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术:氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料,氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中,一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻,一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展,器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高,如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时,晶圆表面会出现不均匀的现象,体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时,检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题,通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素:本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液,所述蚀刻液的组成包括:占蚀刻液总重量≥88%的磷酸、%的醇醚类、%的表面活性剂。进一步地,本发明涉及上述蚀刻液。BOE蚀刻液推荐苏州博洋化学股份有限公司。
其扩散管深入到所述再生液调配缸中;液体泵,其一端通过管道连接所述再生液调配缸的循环出液口,另一端通过管道连接所述射流器的进液口,用于将所述再生液调配缸中的电解后液通过所述管道抽取至所述射流器的进液口。进一步地,所述酸性蚀刻液电解后液处理系统还包括:曝气装置,用于向所述再生液调配缸中的电解后液输送气体以进行搅拌。进一步地,所述酸性蚀刻液电解后液处理系统还包括:后续处理系统,用于向经过所述再生液调配缸处理过的电解后液中加入氯化钠、盐酸并搅拌均匀。更进一步地,所述电解槽的阳极为石墨电极,阴极为钛或钛合金板状电极。更进一步地,所述电解槽中阴极与阳极之间的距离为55mm。更进一步地,所述电解槽的电流密度为300a/m2。本实用新型所提供的酸性蚀刻液电解后液处理系统通过简单的结构实现了电解后废液的再生利用,可节约能耗和药品,提高经济效益。附图说明图1是本实用新型实施例提供的酸性蚀刻液电解后液处理系统的结构图;图2是本实用新型第二实施例提供的酸性蚀刻液电解后液处理系统的结构图。具体实施方式为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解。BOE蚀刻液的主要成分。湖北介绍BOE蚀刻液厂家现货
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