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所述主厚度测量仪32布置在所述腔室31的侧壁附近。所述主厚度测量仪32在所述玻璃加工治具4被加载到所述腔室31内之后用喷淋液将玻璃变薄或者减薄的同时实时测量玻璃的厚度,并且将关于测得厚度的信息发送到所述控制器。所述控制器实时确定从所述主厚度测量仪32接收的玻璃的厚度是否达到目标厚度。如果确定玻璃厚度达到目标厚度,则所述控制器停止对玻璃进行的减薄处理并且控制所述玻璃加工治具4重新移动至所述冲洗区2内。实施例三所述玻璃加工治具4经所述控制器的控制实现在所述腔室31内的往复运动,进而通过所述玻璃加工治具4的自身结构实现所述玻璃加工治具4上玻璃的摆动,从而实现玻璃与喷淋液的充分接触,提高玻璃在所述蚀刻区3内的减薄效果。图3为所述玻璃加工治具的种结构正视图;图4为所述玻璃加工治具的第二种结构正视图;图5为图3中的局部放大图;图6为所述玻璃加工治具的结构俯视图;具体的,所述玻璃加工治具4包括底座41、支撑架42,所述支撑架42固定设置在所述底座41上;所述底座41上设置有底支撑件43,所述底支撑件43用于与玻璃的底部接触,在玻璃底部提供支撑效果;所述支撑架42上设置有侧支撑件44,所述侧支撑件44限制玻璃侧部边缘位置。
本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术:采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性,已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中,inp(磷化铟)化合物具有独特的优势,这主要得益于其优良的材料特性,例如,inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小,以及电子饱和速率很高等,所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor,高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor,异质结双极晶体管)结构,都具有非常优异的高频、大功率性能。但是,inp材料的物理性能却很差,非常易碎,很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃,因此,inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中,如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时,减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:有鉴于此,本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法,以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。去除多余涂层,选择减薄用清洗剂,效果好。
LCD清洗剂光学镜片清洗剂芯片模块清洗剂清洗剂的清洗对象,包括各种电子元器件、CCD和CMOS图像感应芯片及模块、半导体生产装置零件和腔体、医疗设备零部件、LCD/OLED显示器、光学件、镜片、精密加工零部件等。由于HFEs清洗剂与HCFC-141b性能接近,使用氢氟醚清洗剂进行替代的一个好处是可直接使用原有设备和工艺,无须增加太多的投资,对生产的扰动也较小。但目前我国市场上的HFEs清洗剂几乎均为进口,价格相对较高。目前主要用于高附加值零件的清洗和一些特殊要求的清洗场合。可从以下两个方面着手,提高HFEs清洗剂使用的经济性。一是通过完善清洗工艺加强对HFEs清洗剂的蒸馏回收和再生,提高重复利用率;二是利用与其他溶剂的良好相溶性,添加一些价廉易得、清洗性能强的溶剂进行复配,或与其他一些相对便宜的清洗剂,如碳氢溶剂、醇醚类溶剂等组合实现清洗操作,这样既可有效降低HFEs的消耗,减少运行成本,也可提高清洗效果。目前我司提供清LCD清洗剂光学镜片清洗剂芯片模块清洗剂型号有以下:ENASOLV2004清洗剂ENASOLV365az精密电子清洗剂ENASOLV氢氟醚系列清洗剂产品具体数据资料请联系下方人员。去除多余涂层,减薄用清洗剂是您不可或缺的好帮手。杭州国产减薄用清洗剂商家
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