若干所述侧支撑件44固定设置在所述固定板423的端面上;所述固定板423两端均设置有至少两个固定卡块427,所述固定卡块427一般设置为矩形横截面结构,便于所述固定板423端面的朝向定位;对应的,所述调节槽内设置有固定槽426,当所述固定板423两端各自的两所述固定卡块427分别设置于对应的所述固定槽426内时,设置有所述侧支撑件44的端面对应所述竖直平板421上的所述侧支撑件44,且设置所述侧支撑件44的所述竖直平板421和所述固定板423设置在所述底支撑件43的两侧,从而实现对所述盛放部内玻璃的支撑限位。其中,如图3所示,所述侧板422上所述调节槽的一种实施方式为,所述调节槽包括若干水平槽424和与所述水平槽424均竖直贯通连接的竖直槽425,所述固定槽426设置于所述水平槽424的下边缘,所述固定槽426对应所述固定卡块427设置为u型槽,从而便于固定所述固定卡块427的摆放位置。所述水平槽424和所述竖直槽425的尺寸均对应所述固定卡块427的尺寸设置,使所述固定卡块427可在所述水平槽424和所述竖直槽425内自由移动。在本实施方式中,两所述竖直平板421中一所述竖直平板421上设置有所述侧支撑件44,同一所述水平槽424多只设置一个所述固定卡块427。减薄清洗剂,让您的产品更加精致,提升市场竞争力。上海国产减薄用清洗剂推荐厂家
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本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术:采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性,已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中,inp(磷化铟)化合物具有独特的优势,这主要得益于其优良的材料特性,例如,inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小,以及电子饱和速率很高等,所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor,高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor,异质结双极晶体管)结构,都具有非常优异的高频、大功率性能。但是,inp材料的物理性能却很差,非常易碎,很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃,因此,inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中,如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时,减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:有鉴于此,本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法,以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。
在本发明的一个实施例中,抛光液110的主要成分包括:碳化硅颗粒,颗粒直径为50nm~200nm,体积比为3%~5%;次氯酸盐,体积比为30%~40%;氢溴酸,体积比为5%~7%,di水,体积比50~60%。本发明的一个实施例中,如图3所示,磁转子12包括截面为半圆形的柱状磁性结构120和位于柱状磁性结构120的底部平面的研磨层121,以通过研磨层121对待加工部件20的待加工表面进行机械研磨。当然,本发明并不仅限于此,在其他实施例中,可以根据实际需求选择合适的磁转子形状。可选地,研磨层121为金属氧化物层,进一步可选地,金属氧化物层包括三氧化二铝层。可选地,研磨层121的厚度为10μm。本发明实施例中,如图4所示,磁转子12沿箭头所示方向旋转,如沿逆时针或顺时针方向旋转,并且,磁转子12的长度近似等于待加工部件20如inp基晶圆的直径,以对整个待加工表面进行研磨。本发明实施例中,抛光减薄装置还包括控制部件。控制部件与磁转子12和喷头11相连,用于控制喷头11和磁转子12交替工作,以对待加工表面交替进行抛光和减薄。其中,控制部件通过脉冲方式控制喷头11和磁转子12交替工作。可选地,控制部件控制磁转子12的转速为80rpm~200rpm。减薄用清洗剂的使用时要注意什么?
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