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    磁转子12放置在待加工部件20的待加工表面上，用于通过旋转对待加工部件20的待加工表面进行机械研磨，对待加工表面进行减薄。由于减薄过程中待加工部件20如inp基晶圆本身不旋转，因此，可以降低抛光减薄过程中对待加工部件20如inp基晶圆的挤压应力，降低待加工部件20如inp基晶圆的机械加工损伤。可选地，本发明实施例中通过光刻胶键合固定待加工部件20和托盘10。当然，本发明并不限于此，在其他实施例中，待加工部件20和托盘10还可以采用其他胶体进行键合固定。基于此，如图2所示，本发明实施例中的抛光减薄装置还包括热板14，该热板14设置在托盘10底部，用于对托盘10进行加热，以使待加工部件20与托盘10键合固定。具体地，将待加工部件20背面喷涂厚度约为2μm的光刻胶21，如az4620光刻胶，然后在托盘10表面喷涂厚度约为3μm的光刻胶21，如az4620光刻胶，之后，将托盘10光刻胶面向上放于温度为90℃的热板14上，将待加工部件20光刻胶面和托盘10光刻胶面贴合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar压强于待加工部件20上进行键合，键合时间20min。本发明实施例中，采用喷头11向待加工部件20的待加工表面喷涂抛光液110，来对待加工部件20的待加工表面进行抛光。需要说明的是。选择减薄用清洗剂，为您的加工过程保驾护航。广州减薄用清洗剂哪里买

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。

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    LCD清洗剂光学镜片清洗剂芯片模块清洗剂清洗剂的清洗对象，包括各种电子元器件、CCD和CMOS图像感应芯片及模块、半导体生产装置零件和腔体、医疗设备零部件、LCD/OLED显示器、光学件、镜片、精密加工零部件等。由于HFEs清洗剂与HCFC-141b性能接近，使用氢氟醚清洗剂进行替代的一个好处是可直接使用原有设备和工艺，无须增加太多的投资，对生产的扰动也较小。但目前我国市场上的HFEs清洗剂几乎均为进口，价格相对较高。目前主要用于高附加值零件的清洗和一些特殊要求的清洗场合。可从以下两个方面着手，提高HFEs清洗剂使用的经济性。一是通过完善清洗工艺加强对HFEs清洗剂的蒸馏回收和再生，提高重复利用率；二是利用与其他溶剂的良好相溶性，添加一些价廉易得、清洗性能强的溶剂进行复配，或与其他一些相对便宜的清洗剂，如碳氢溶剂、醇醚类溶剂等组合实现清洗操作，这样既可有效降低HFEs的消耗，减少运行成本，也可提高清洗效果。目前我司提供清LCD清洗剂光学镜片清洗剂芯片模块清洗剂型号有以下:ENASOLV2004清洗剂ENASOLV365az精密电子清洗剂ENASOLV氢氟醚系列清洗剂产品具体数据资料请联系下方人员。高效去除涂层，减薄用清洗剂让您的生产更顺畅。苏州国产减薄用清洗剂供应

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