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    本发明提供如下技术方案：一种抛光减薄装置，包括：托盘，用于固定待加工部件，所述待加工部件包括inp基晶圆；喷头，用于向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，以对所述待加工表面进行抛光；磁转子，放置在所述待加工部件的待加工表面上，用于通过旋转对所述待加工表面进行机械研磨，对所述待加工表面进行减薄。可选地，还包括控制部件；所述控制部件与所述磁转子和所述喷头相连，用于控制所述喷头和所述磁转子交替工作，以对所述待加工表面交替进行抛光和减薄。可选地，所述磁转子包括截面为半圆形的柱状磁性结构和位于所述磁性结构底部的研磨层，以通过所述研磨层对所述待加工表面进行机械研磨。可选地，所述研磨层为金属氧化物层，所述金属氧化物层包括三氧化二铝层。可选地，还包括：热板，设置于所述托盘底部，用于对所述托盘进行加热，以使所述待加工部件与所述托盘键合固定。可选地，所述待加工部件与所述托盘通过光刻胶键合固定。一种抛光减薄方法，包括：将待加工部件固定在托盘上，所述待加工部件包括inp基晶圆；通过喷头向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，来对所述待加工表面进行抛光；通过磁转子旋转对所述待加工表面进行机械研磨。浙江半导体减薄用清洗剂费用是多少减薄清洗剂，良好品质，值得信赖，让您的加工更轻松。

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    并控制磁转子12和喷头11每间隔20s旋转10s，也就是说，控制磁转子旋转10s，控制磁转子停止旋转后，控制喷头喷涂抛光液10s，停止喷涂抛光液10s后，控制磁转子旋转10s，以此类推。本发明实施例中，控制部件在脉冲工作模式下，实现减薄和抛光两种工艺交替作用，使得减薄和抛光一体化完成，整个过程稳定，速度快，控制性好，重复度高，无粉尘污染，衬底减薄终厚度达到20μm，抛光面ra＜2nm。还需要说明的是，本发明实施例中，在减薄的过程中，可以不断更换磁转子12，如磁转子12工作1小时后，将磁转子12更换为新的磁转子，以使磁转子与待加工表面贴合紧密，避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。此外，本发明实施例中，在完成抛光和减薄后，可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗，用di水冲洗干净，40℃的氮气吹干。之后，将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盘10自动分离，取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例还提供了一种抛光减薄方法，如图5所示，包括：s101：将待加工部件固定在托盘上，待加工部件包括inp基晶圆；可选地。减薄用清洗剂，助您实现精密加工，提升产品品质。

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。合肥中芯国际用减薄用清洗剂联系方式