企业商机
减薄用清洗剂基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类别
  • 无机碱
  • 产品性状
  • 液态
减薄用清洗剂企业商机

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    所述支撑条431和所述第二支撑条432一一平行对应设置,所述连接部433活动连接所述支撑条431和所述第二支撑条432,所述支撑条431固定设置于所述底座41上,所述接触部434均匀设置在所述第二支撑条432上。同时可通过设置所述支撑条431的高度或所述支撑条431的固定位置从而调节所述底支撑件43的高度,如通过将上述支撑条431的两端固定在两所述竖直平板421上。较佳的,所述支撑条431和所述第二支撑条432上设置有磁性组,所述支撑条431和所述第二支撑条432在所述磁性组提供的磁性斥力作用下具有调节间隙。所述磁性组包括磁性件435和第二磁性件436,所述磁性件435和所述第二磁性件436分别设置于所述支撑条431和所述第二支撑条432上,且所述磁性件435和所述第二磁性件436之间具有磁性斥力,从而使所述第二支撑条432悬浮于所述支撑条431的上方。所述连接部433设置有限位孔437,所述限位孔437设置为腰型孔,所述支撑条431的水平两侧均设置有若干限位块438,所述第二支撑条432的水平两侧均设置有若干第二限位块439,所述限位块438和所述第二限位块439一一对应设置,对应设置的所述限位块438和所述第二限位块439均设置在同一所述连接部433的所述限位孔437内。广东半导体减薄用清洗剂销售公司选择减薄用清洗剂,轻松应对各种涂层问题,提升工作效率。

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    经减薄处理后的玻璃可再次进入所述冲洗区2以经历减薄后清洁并且通过所述转换区1被卸载到外部;所述玻璃减薄设备还设置有制动组件,通过所述制动组件实现所述玻璃加工治具4从所述转换区1经所述冲洗区2向所述蚀刻区3的减薄前移动,以及从所述蚀刻区3经所述冲洗区2向所述转换区1的减薄后移动。在本实施例中,图1内并排设置有2个所述玻璃减薄设备,所述冲洗区2包括冲洗区2、第二冲洗区2和第三冲洗区2,所述第二冲洗区2设置于所述冲洗区2和所述第三冲洗区2之间,所述冲洗区2设置于所述第二冲洗区2和所述转换区1之间,所述第三冲洗区2设置于所述第二冲洗区2和所述蚀刻区3之间。所述转换区1可升降的折叠式结构,从而便于所述玻璃加工治具4在所述转换区1的放置或卸下。较佳的,所述转换区1还设置有装卸臂,通过所述装卸臂可实现对所述玻璃加工治具4的上下料,以及单片玻璃的拿取检测。实施例二如图2所示,图2为所述蚀刻区的结构示意图;所述蚀刻区3包括腔室31、主厚度测量仪32、喷淋组件33和控制器;所述喷淋组件33在所述腔室31中对设置于所述玻璃加工治具4上的玻璃施加减薄处理,所述主厚度测量仪32实时测量在所述腔室31内经历减薄处理的玻璃厚度。

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    图2为所述蚀刻区的结构示意图;图3为所述玻璃加工治具的种结构正视图;图4为所述玻璃加工治具的第二种结构正视图;图5为图3中的局部放大图;图6为所述玻璃加工治具的结构俯视图;图7为所述底支撑件的结构正视图;图8为所述底支撑件的结构侧视图。图中数字表示:1-转换区;2-冲洗区;3-蚀刻区;4-玻璃加工治具;31-腔室;32-主厚度测量仪;33-喷淋组件;41-底座;42-支撑架;43-底支撑件;44-侧支撑件;421-竖直平板;422-侧板;423-固定板;424-水平槽;425-竖直槽;426-固定槽;427-固定卡块;428-定位槽;429-定位孔;431-支撑条;432-第二支撑条;433-连接部;434-接触部;435-磁性件;436-第二磁性件;437-限位孔;438-限位块;439-第二限位块。具体实施方式以下结合附图,对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。实施例一如图1所示,图1为所述玻璃减薄设备的结构视图;本发明中所述玻璃减薄设备包括转换区1、冲洗区2和蚀刻区3,所述冲洗区2设置于所述转换区1和所述蚀刻区3之间,竖直容纳在玻璃加工治具4中的多个玻璃通过所述转换区1被加载到所述冲洗区2中,在所述冲洗区2中进行减薄前清洁并且在所述蚀刻区3中经历减薄处理。苏州质量好的减薄用清洗剂的公司联系方式。合肥性价比高的减薄用清洗剂什么价格

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    本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术:采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性,已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中,inp(磷化铟)化合物具有独特的优势,这主要得益于其优良的材料特性,例如,inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小,以及电子饱和速率很高等,所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor,高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor,异质结双极晶体管)结构,都具有非常优异的高频、大功率性能。但是,inp材料的物理性能却很差,非常易碎,很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃,因此,inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中,如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时,减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:有鉴于此,本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法,以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。安徽显示面板用减薄用清洗剂销售价格

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