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    来对所述待加工表面进行减薄。可选地，还包括：在所述磁转子运行一段时间后，更换所述磁转子。可选地，将待加工部件固定在托盘上包括：采用光刻胶将所述待加工部件固定在所述托盘上。可选地，对所述待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后，还包括：对所述待加工部件进行清洗；采用特定溶液对所述光刻胶进行腐蚀，以将所述待加工部件与所述托盘分离。与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：本发明所提供的抛光减薄装置和抛光减薄方法，采用托盘固定待加工部件，采用喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，来对所述待加工表面进行抛光，采用磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨，来对所述待加工表面进行减薄，由于减薄过程中待加工部件如inp基晶圆本身不旋转，因此，可以降低抛光减薄过程中对待加工部件如inp基晶圆的挤压应力，降低待加工部件如inp基晶圆的机械加工损伤。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。质量比较好的减薄用清洗剂的公司找谁？广州中芯国际用减薄用清洗剂溶剂

    且所述限位块438和所述第二限位块439均可在所述限位孔437内移动，通过所述连接部433的限位效果，避免所述支撑条431和所述第二支撑条432在磁力作用下产生脱离，从而使所述支撑条431和所述第二支撑条432在磁力和所述连接部433的限位力作用下保持平衡。一般的，所述位块438和所述第二限位块439均设置为圆柱型，从而便于所述限位块438和所述第二限位块439在所述限位孔437内的移动。当放置于所述底支撑件43上的玻璃受到冲击或振动时，所述支撑条431可相对于所述第二支撑条432作水平方向的偏移移动，或所述限位块438和所述第二限位块439均在所述限位孔437内移动，使所述支撑条431可相对于所述第二支撑条432作竖直方向的移动，从而可实现对各个方向上冲击力或振动的吸收缓冲效果，提高玻璃的安全性。较佳的，所述限位块438和所述第二限位块439可设置为螺钉，所述限位孔437宽度配合所述螺钉的螺纹直径设置，在所述支撑条431和所述第二支撑条432上设置螺纹孔，通过将所述限位块438和所述第二限位块439与所述螺纹孔螺纹连接，从而实现所述限位块438和所述第二限位块439在所述支撑条431和所述第二支撑条432上的固定。通过将所述限位块438和所述第二限位块439设置为螺钉。浙江哪里减薄用清洗剂销售厂家苏州高质量的减薄用清洗剂的公司。

    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。

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