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    较佳的，所述冲洗区包括冲洗区、第二冲洗区和第三冲洗区，所述第二冲洗区设置于所述冲洗区和所述第三冲洗区之间，所述冲洗区设置于所述第二冲洗区和所述转换区之间，所述第三冲洗区设置于所述第二冲洗区和所述蚀刻区之间。较佳的，所述冲洗区设置有辅助厚度测量仪。较佳的，所述第三冲洗区设置有第二辅助厚度测量仪。较佳的，所述转换区设置为可升降的折叠式结构。较佳的，所述转换区设置有装卸臂。与现有技术比较本发明的有益效果在于：1，本发明中所述玻璃减薄生产线采用喷淋减薄的方式对竖直容纳在玻璃加工治具中的玻璃进行减薄处理，可实现单次多片玻璃减薄，同时避免浸泡式减薄法中反应产物粘附在玻璃上造成不良品的问题；2，本发明中所述玻璃加工治具在减薄处理时进行往复移动使侧支撑件与玻璃之间接触点产生变化，从而避免所述侧支撑件与玻璃之间的接触点因所述侧支撑件的长期接触造成接触点无法被喷淋液喷淋而产生的不良次品问题；3，本发明通过所述侧支撑件的固定结构，可实现所述侧支撑件的位置调节，从而使玻璃加工治具适用于不同尺寸的玻璃并可将不同尺寸的玻璃同时设置于玻璃加工治具上同时进行减薄处理。附图说明图1为所述玻璃减薄设备的结构示意图。哪家公司的减薄用清洗剂的是有质量保障的？浙江哪家公司减薄用清洗剂推荐厂家

    图1为本发明实施例提供的一种抛光减薄装置的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种托盘和待加工部件的键合固定方式示意图；图3为本发明实施例提供的一种磁转子的结构示意图；图4为本发明实施例提供一种磁转子的旋转方式的示意图；图5为本发明实施例提供的一种抛光减薄方法的流程示意图。具体实施方式以上是本发明的思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明实施例提供了一种抛光减薄装置，用于对inp基晶圆等部件进行抛光减薄，如图1所示，包括托盘10、喷头11和磁转子12，当然，本发明实施例中的抛光减薄装置还包括反应室13等，托盘10、喷头11和磁转子12等在反应室13内进行抛光和减薄反应。其中，托盘10，可选为石英托盘，用于固定待加工部件20，待加工部件20包括inp基晶圆。喷头11用于向待加工部件20的待加工表面喷涂抛光液110，以对待加工表面进行抛光。深圳市面上哪家减薄用清洗剂配方技术哪家减薄用清洗剂的质量比较好。

    通过旋紧螺钉使螺钉的端头部分与所述支撑条431或所述第二支撑条432接触，从而实现对所述连接部433的固定，避免所述连接部433在振动时发生脱离等情况。同时螺钉的设置，可实现所述底支撑件43结构的快速装卸，便于维修更换。值得指出的是，为达到防止所述连接部433脱离的效果，所述限位块438和所述第二限位块439并非于设置为螺钉，通过在所述限位块438和所述第二限位块439的端部设置横截面合适的部件，使所述限位块438、所述第二限位块439与所述连接部433卡接，即可实现螺钉的效果。所述接触部434设置有弧形槽，玻璃的下边缘设置于所述弧形槽内，从而实现所述底支撑件43对玻璃的位置固定。在进行减薄或其他加工过程中，玻璃通过所述玻璃加工治具4进行移动或放置时，均会产生振动；同时在进行蚀刻冲刷时，在酸液冲击的作用下由于玻璃底部固定，易使玻璃产生弯曲，通过所述底支撑件43的结构设置，可实现设置于所述接触部434上玻璃的悬浮柔性支撑，有效缓冲玻璃所受到的外界压力或冲击力，避免振动或冲击对玻璃带来的损伤；同时可有效降低所述玻璃加工治具4往复移动带来的振动，使玻璃底部在所述连接部433的限制下进行小幅度的移动，在保证玻璃在所述玻璃加工治具4上有效摆动。

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    将待加工部件固定在托盘上包括：采用光刻胶将待加工部件固定在托盘上。具体地，将待加工部件背面喷涂厚度约为2μm的光刻胶，如az4620光刻胶，然后在托盘表面喷涂厚度约为3μm的光刻胶，如az4620光刻胶，之后，将托盘光刻胶面向上放于温度为90℃的热板上，将待加工部件光刻胶面和托盘光刻胶面贴合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar压强于待加工部件上进行键合，键合时间20min。s102：通过喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，来对待加工表面进行抛光；s103：通过磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨，来对待加工表面进行减薄。可选地，本发明实施例中，s102和s103可以交替进行，也就是说，控制磁转子旋转一段时间后，控制磁转子停止旋转，并控制喷头喷涂抛光液，停止喷涂抛光液后，再次控制磁转子旋转，以此类推。本发明实施例中，通过磁转子和喷头交替工作，实现了减薄和抛光两种工艺交替作用，使得减薄和抛光一体化完成，整个过程稳定，速度快，控制性好，重复度高，无粉尘污染，衬底减薄终厚度达到20μm，抛光面ra＜2nm。由于减薄过程中待加工部件20如inp基晶圆本身不旋转，因此，可以降低抛光减薄过程中对待加工部件20如inp基晶圆的挤压应力。浙江哪家公司减薄用清洗剂推荐厂家