一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法技术领域1.本技术涉及化学蚀刻技术领域,具体涉及一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。背景技术:2.目前,电子器件的基板表面(例如显示器件的阵列基板)通常带有一定图案的氧化铟锡(ito)膜,以便后续给电子器件可控通电。该ito膜通常通过化学蚀刻的方法蚀刻ito材料层形成。其中,对于多晶ito(p-ito)材料,所用蚀刻液主要包括硫酸系、王水系ito蚀刻液。王水系蚀刻液成本低,但其蚀刻速度快,蚀刻的角度难以控制,且容易对ito膜的下层金属造成二次腐蚀。技术实现要素:3.有鉴于此,为克服目前存在的技术难题,本技术提供了一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。4.具体地,本技术首先方面提供了一种ito蚀刻液,所述ito蚀刻液包括以下重量份数的各组分:20-22份的盐酸,6-7份的硝酸,0.5-3份的酸抑制剂,0.5-3份的表面活性剂,以及水;其中,所述酸抑制剂包括n,n-二异丙基乙胺、n,n-二异丙基乙醇胺中的至少一种;所述表面活性剂包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一种。5.通过对蚀刻液中硝酸及盐酸的含量进行精确限定,以实现了对王水系蚀刻液蚀刻速度的初步调控,并在一定程度上实现了对蚀刻角度的控制(蚀刻角度小于35哪家的蚀刻液配方比较好?合肥ITO蚀刻液蚀刻液生产
为本实用新型挡液板结构其二较佳实施例的宣泄孔排列示意图,以及其三较佳实施例的宣泄孔排列示意图,在本实用新型其二较佳实施例中,开设于该第二挡板12上的宣泄孔121亦呈千鸟排列的直通孔态样,且位于同一列的宣泄孔121之间具有相同的距离,例如:图4中所示的w1,其中w1大于图3的w或图5的w2,其中w2大于w,而该宣泄孔121的一孔径a0亦小于3mm,以使该宣泄孔121的孔洞内产生毛细现象,若该第二挡板12的该上表面123有水滴出现时,则该水滴不至于经由该宣泄孔121落至下表面,但仍旧可以提供空气宣泄的管道,以借由该宣泄孔121平衡该第二挡板12上、下二端部的压力。此外,请参阅图6与图7所示,为本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的整体结构示意图,以及挡液板结构运作局部放大图,其中本实用新型的蚀刻设备1设置于一湿式蚀刻机的一槽体(图式未标示)内,该蚀刻设备1包括有一如上所述的挡液板结构10、一输送装置30、一基板20,以及一风刀装置40,其中本实用新型主要借由具有复数个宣泄孔121的挡液板结构10搭配该风刀装置40的硬体设计,有效使该风刀装置40吹出的气体43得以由该复数个宣泄孔121宣泄。合肥ITO蚀刻液蚀刻液生产天马微电子用哪家蚀刻液更多?
图7:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的挡液板结构运作局部放大图。图8:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图9:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的宣泄孔的表面张力局部放大图。图10:本实用新型蚀刻设备其二较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图11:本实用新型蚀刻设备其三较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图12:本实用新型挡液板结构其二较佳实施例的宣泄孔的表面张力局部放大图。图13:本实用新型蚀刻方法的步骤流程图。图号说明:传统挡液板结构a挡液板结构b风刀c气体本实用新型1蚀刻设备10挡液板结构11***挡板12第二挡板121宣泄孔1211***壁面1212第二壁面122下表面123上表面13第三挡板20基板30输送装置31滚轮40风刀装置41***风刀42第二风刀43气体50喷洒装置51药液s1步骤一s2步骤二s3步骤三s4步骤四h长度θ夹角θ1***夹角θ2第二夹角θ3第三夹角θ4接触角a0孔径a1上孔径a2下孔径w、w1、w2距离。具体实施方式首先,请参阅图2与图3所示,为本实用新型挡液板结构其一较佳实施例的整体结构示意图,以及宣泄孔排列示意图,其中本实用新型的挡液板结构10适用于一湿式蚀刻机(图式未标示)。
伸缩杆12下端固定安装有圆环块13,圆环块13与喷头10之间固定连接有连接杆14,分隔板2与承载板3相互垂直设置,电解池4内部底端的倾斜角度设计为5°,进液管8的形状设计为l型,且进液管8贯穿分隔板2设置在进液漏斗6与伸缩管9之间,圆环块13通过伸缩杆12活动安装在喷头10上方,且喷头10通过伸缩管9活动安装在电解池4上方,通过设置有伸缩管9与伸缩杆12,能够在蚀刻液通过进液管8流入到电解池4中时,启动液压缸11带动伸缩杆12向上移动,从而通过圆环块13配合伸缩管9带动喷头10向上移动,进而将蚀刻液缓慢的由喷头10喷入到电解池4中,避免蚀刻液对电解池4造成冲击而影响其使用寿命,具有保护电解池4的功能;分隔板2右端表面靠近上端固定安装有增压泵16,增压泵16下端与电解池4之间连接有回流管15,增压泵16上端与进液管8之间连接有一号排液管17,回流管15内部左端设置有一号电磁阀18,回流管15与进水管27的形状均设计为l型,通过在增压泵16下端设置有回流管15,能够在蚀刻液电解后,启动增压泵16并打开一号电磁阀18,将蚀刻液通过回流管15抽入到一号排液管17中,并由进液管8导入到伸缩管9中,直至蚀刻液由喷头10重新喷到电解池4中。天马微电子用的哪家的蚀刻液?
蚀刻液也可含有α-羟基羧酸和/或其盐。α-羟基羧酸及其盐具有作为钛的络合剂的效果,可抑制蚀刻液中产生钛的沉淀。作为所述α-羟基羧酸,例如可举出酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羟基羧酸和/或其盐的浓度并无特别限制,从络合效果及溶解性的观点来看,推荐为%至5重量%,更推荐为%至2重量%。另外,蚀刻液也可含有亚硫酸及/或其盐。亚硫酸及其盐具有作为还原剂的效果,可提高钛的蚀刻速度。亚硫酸和/或其盐的浓度并无特别限制,从还原性及臭气的观点来看,推荐为%至%,更推荐为%至%。蚀刻液中除了上述的成分以外,也能以不妨碍本发明效果的程度添加其他成分。作为其他成分,例如可举出表面活性剂、成分稳定剂及消泡剂等。蚀刻液可通过使所述各成分溶解于水中而容易地制备。作为所述水,推荐为将离子性物质及杂质除去的水,例如推荐为离子交换水、纯水、超纯水等。蚀刻液可在使用时将各成分以成为预定浓度的方式调配,也可预先制备浓缩液并在即将使用之前稀释而使用。使用本发明的蚀刻液的钛的蚀刻方法并无特别限制,例如可举出:对含有铜及钛的对象物涂布或喷雾蚀刻液的方法;将含有铜及钛的对象物浸渍在蚀刻液中的方法等。处理温度并无特别限制。使用蚀刻液需要什么条件。合肥铜钛蚀刻液蚀刻液生产
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618光电行业ITO**蚀刻液,专门针对氧化铟锡(ITO)玻璃导电薄膜镀层图线的脱膜蚀刻,它对于高阻抗ITO玻璃导电膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃导电膜(PET-ITO)都且有优良的蚀刻速度与效果。具有速度快、侧蚀小、无沉淀、气味小、不攻击抗蚀层,不攻击基材,操作控制简便灵活等非常***的优点,可采取自动控制系统补加,也可人工补加方式。更重要的是丝毫不改变产品的导电阻抗电性数据。二、产品特点1)速度快市场之一般ITO蚀刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蚀刻液蚀刻速度正常控制在2-10nm/s,速度快(具体设备情况有所差异)2)气味小、无烟雾、对皮肤刺激*目前市场蚀刻液一般有强烈之气味,温度升高后放出一种刺鼻气味,对操作人员身体健康和工作环境极为不利,但KBX-618A酸性蚀刻液采用的是有机活性添加剂3、用于有机基材膜,及各类玻璃底材,不影响生产材料导电阻抗数据。不攻击底材,不攻击抗蚀膜。KBX-556ITO**褪膜液一、产品简介KBX-556引进国外配方,采用进口原料,非常规易燃溶剂,即非有毒醇醚硫等物质,是采用环保的极性活性剂,可以有效、快速地去除水溶性干膜,在板面不会留下残渣。在褪极细线宽线距板时效果尤其明显,不会攻击聚酰亚胺,PET,ITO,硅晶体,液晶屏,及弱金属。合肥ITO蚀刻液蚀刻液生产