也很难保证拖车在地磅顶部不移动。在地磅的顶部平台中设置有两条卡块40,卡块与平台之间形成一插槽,在地磅的顶部设置有包括气缸50和压紧块60的气动夹紧机构,压紧块位于插槽中,气缸的伸缩杆与压紧块固连。拖车的边缘沿插槽插入后,气缸带动压紧块下行将拖车紧紧压在地磅的顶部。实施例二本实施例基于实施例一。如图2所示,在拖车的顶部设置有一圈围设在储存罐外部的护栏70,以防止其它物品碰撞储存罐。实施例三本实施例基于实施例一。如图3所示,在拖车的顶部设置有一集液盒,储存罐安装在集液盒80中,过滤器的出液管及灌装头的快速接头从储存罐中拔出时滴落的铝蚀刻液,由集液盒进行收集。实施例四本实施例基于实施例一。如图4所示,拖车的顶部于储存罐的旁侧设置有集液腔室22,过滤器的出液管及灌装头的快速接头从储存罐中拔出时滴落的铝蚀刻液被集液腔室内收集。综上所述,将原有的大型储存罐更换成数个小型储存罐,并采用液压升降式拖车带着储存罐在铝蚀刻液生产车间与自动灌装车间之中周转,如此便可为铝蚀刻液生产设备配备全自动灌装线,即提高了单瓶灌装精度和效率,又降低了企业的人力成本投入;而且,将原有的大型储存罐更换成数个小型储存罐。使用蚀刻液需要什么条件。广州ITO蚀刻液蚀刻液供应商
更推荐满足。参照图4,在添加剂(硅烷系偶联剂)的aeff处于,能够使因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良**少化,在硅烷系偶联剂的aeff处于,能够使氧化物膜损伤不良**少。因此,在利用上述范围所重叠范围(规格(spec)满足区间)即aeff为2以上,能够使因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜损伤不良**少化。在上述添加剂的aeff值处于上述范围内的情况下,上述添加剂可以具有适宜水平的防蚀能力,由此,即使没有消耗费用和时间的实际的实验过程,也能够选择具有目标防蚀能力的硅烷系偶联剂等添加剂。本发明的上述硅烷系偶联剂等添加剂推荐按照保护对象膜(氧化物膜)的蚀刻程度(etchingamount,e/a)满足以上以下的范围的浓度来添加。例如,对于包含氧化物膜(例如,sio2)和上述氧化物膜上的氮化物膜(例如,sin)的膜在160℃以添加剂浓度1000ppm基准处理10,000秒的情况下,推荐按照保护对象膜的蚀刻程度(etchingamount,e/a)满足以上以下的范围的浓度添加。本发明的添加剂的防蚀能力可以通过上述添加剂的aeff值与浓度之积来计算,由蚀刻程度(etchingamount,e/a)来表示。蚀刻程度的正的值表示蚀刻工序后厚度增加。铝钼铝蚀刻液蚀刻液销售电话哪家的蚀刻液性价比比较高?
将装置主体1内部的蚀刻液进行清洗,具有很好的清理作用。工作原理:对于这类的回收处理装置,首先将蚀刻液倒入进液漏斗6并由过滤网7过滤到进液管8中,之后蚀刻液流入到承载板3上的电解池4中时,启动液压缸11带动伸缩杆12向上移动,从而通过圆环块13配合连接杆14和伸缩管9带动喷头10向上移动,进而将蚀刻液缓慢的由喷头10喷入到电解池4中,避免蚀刻液对电解池4造成冲击而影响其使用寿命,具有保护电解池4的功能,之后金属铜在隔膜5左侧析出;其次在蚀刻液初次电解后,通过控制面板30启动增压泵16并打开一号电磁阀18,将蚀刻液通过回流管15抽入到一号排液管17中,并由进液管8导入到伸缩管9中,直至蚀刻液由喷头10重新喷到电解池4中,可以充分的将蚀刻液中的亚铜离子电解转化为金属铜,起到循环电解蚀刻液的作用,然后打开二号电磁阀23,将蚀刻液通过二号排液管22导入到分隔板2左侧,倾斜板24使得蚀刻液向左流动以便排出到装置主体1外,接着启动抽气泵19,将电解池4中产生的有害气体抽入到排气管20并导入到集气箱21中,实现有害气体的清理,紧接着打开活动板25将金属铜取出,之后启动增压泵16并打开三号电磁阀29,将由进水管27导入到蓄水箱26中的清水。
所述有机硫化合物具有作为还原剂及络合剂(chelate)的效果。作为所述硫酮系化合物,例如可举出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亚乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并无特别限制,推荐为碳数1至4的烷基。这些硫酮系化合物中,推荐使用选自由作为还原剂或络合剂的效果及水溶性优异的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。作为所述硫醚系化合物,例如可举出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯盐酸盐、乙硫氨酸、2-羟基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳数并无特别限制,推荐为碳数1至4。另外,这些化合物的一部分也可经取代为氢原子、羟基或氨基等其他基。这些硫醚系化合物中,推荐为使用选自由作为还原剂或络合剂的效果优异的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。有机硫化合物的浓度并无特别限制,推荐为%至10重量%,更推荐为%至5重量%。在有机硫化合物的浓度小于%的情况下,无法获得充分的还原性及络合效果,有钛的蚀刻速度变得不充分的倾向,若超过10重量%则有达到溶解极限的倾向。ITO蚀刻液的配方是什么?
影响ITO碱性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:1、Cu2+离子浓度的影响:Cu2+是氧化剂,所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明:在0~82g/L时,蚀刻时间长;在82~120g/L时,蚀刻速率较低,且溶液控制困难;在135~165g/L时,蚀刻速率高且溶液稳定;在165~225g/L时,溶液不稳定,趋向于产生沉淀。2、氯化铵含量的影响:通过蚀刻再生的化学反应可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有过量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蚀刻速率就会降低,以致失去蚀刻能力。所以,氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行,要不断补加氯化铵。蚀刻液的发展趋势如何。池州BOE蚀刻液蚀刻液推荐厂家
友达光电用的哪家的蚀刻液?广州ITO蚀刻液蚀刻液供应商
本发明涉及铜蚀刻液技术领域,具体涉及一种酸性铜蚀刻液的生产工艺。背景技术:高精细芯片和显示集成电路主要采用铜制程,其光刻工艺中形成铜膜层结构所需用的铜刻蚀液中主要的为过氧化氢系铜刻蚀液。过氧化氢系铜蚀刻液较其他铜刻蚀液体系(如三氯化铁体系,过硫酸铵体系)具有不引人其他金属离子在铜层表面或线路体系中,产物亲和、友好、环境污染少,刻蚀效率高且使用寿命较长的特点。大部分过氧化氢系铜刻蚀液包括参与氧化的过氧化氢组分、参与溶解的无机酸/有机酸组分,以及部分铜缓蚀剂等各类添加三个部分。由于铜蚀刻液中各物质的反应为放热反应,体系中又含有过氧化氢在制备铜蚀刻液的生产过程中需要保证生产安全。技术实现要素:本发明的目的在于,克服现有技术中存在的缺陷,提供一种铜蚀刻液大规模量产的生产工艺,该生产工艺温控严格,生产过程中安全性高。为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,所述工艺包括以下步骤:第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用。广州ITO蚀刻液蚀刻液供应商