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缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)是一种用于微细加工的液体腐蚀剂。它的主要用途是蚀刻二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)的薄膜。它是氟化铵(NH4F)和氢氟酸(HF)等缓冲液的混合物。浓缩的HF蚀刻二氧化硅的速度太快,不能很好地进行工艺控制,同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。BOE6:1is6partsbyvolume40%ammoniumfluorideand1partbyvolume49%HF.应用缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)6:1可用于栅极光刻(gatephotolithography)的AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管的氧化物去除。它可用于缓冲氧化物蚀刻剂法,制造微型生物芯片。湖南哪些新型BOE蚀刻液销售厂家BOE蚀刻液公司的联系方式。
蚀刻液一般分为酸性蚀刻液和碱性蚀刻液两种。酸性蚀刻液主要成分氯化铜、盐酸、氯化钠和氯化铵。它的机理是:,;酸性蚀刻液具有蚀刻速率易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性;同时,它的溶铜量大;酸性蚀刻液也较容易再生与回收,从而减少污染。有研究表明,酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直,其蚀刻效果非常好。结合以上特性,酸性蚀刻液一般用于多层印制板的内层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作。
铜酸蚀刻液是半导体和显示技术中一类重要的原材料。半导体、薄膜晶体管液晶显示器),有机发光半导体)等微电路原件首先由铜、钼或其合金在玻璃基板或者绝缘层上形成一定厚度的膜层,再用光刻胶形成图案,然后用铜酸蚀刻液将图案外的金属蚀刻掉,再用去光阻液将光刻胶去掉,以进行金属膜层的图案化,形成电极电路。随着显示器的大型化以及画质高清化,需要电阻率更低的金属来做电子传输导线,目前铜金属可以满足电导率高、价格相对较低等要求,但由于其与玻璃基板的粘附性较差以及铜元素易于向氧硅或者氮硅膜内进行扩散,所以会在其与玻璃之间加一层很薄的缓冲层,一般选用钼或者钼合金。BOE蚀刻液的配方是什么?
蚀刻液一般分为酸性蚀刻液和碱性蚀刻液两种。酸性蚀刻液主要成分氯化铜、盐酸、氯化钠和氯化铵。它的机理是酸性蚀刻液具有蚀刻速率易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性;同时,它的溶铜量大;酸性蚀刻液也较容易再生与回收,从而减少污染。有研究表明,酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直,其蚀刻效果非常好。结合以上特性,酸性蚀刻液一般用于多层印制板的内层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作。苏州性价比高的BOE蚀刻液。上海专业BOE蚀刻液价格
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通常用于金属层蚀刻的铜酸蚀刻溶液主要成分为过氧化氢和一些添加剂;过氧化氢用于对金属进行氧化,而添加剂则主要将氧化物酸化成离子态,使其溶解于溶液中,并且维持蚀刻特性要求。由于过氧化氢同时具有氧化性和还原性,其可以将铜氧化,也可以被金属离子催化发生歧化分解反应,生成氧气。如果此反应速度过快,则会生热乃至引起等安全事故。与此同时,二价铜离子也具有一定的氧化性,当蚀刻时间较长,所述铜酸蚀刻溶液体系内的铜离子含量较高时,溶液的蚀刻特性会发生变化,以至于蚀刻达不到要求,所述铜酸蚀刻溶液不能够再进行蚀刻,即达到蚀刻寿命。基于以上两个方面,过氧化氢体系的铜酸蚀刻溶液寿命较低,一般为当铜酸溶液中铜离子的浓度达到4000-8000百万分比浓度,则不能再使用。安徽专业BOE蚀刻液推荐厂家