成都微米氮化铝销售公司

影响氮化铝陶瓷热导率的因素：致密度：根据氮化铝的热传导性能，低致密度的样品存在的大量气孔，会影响声子的散射，降低其平均自由程，进而降低氮化铝陶瓷的热导率。同时，低致密度的样品其机械性能也可能达不到相关应用要求。因此，高致密度是氮化铝陶瓷具有高热导率的前提。显微结构：氮化铝陶瓷的显微组织结构与其热力学性能有着一一对应，显微结构包括晶粒尺寸、形貌和晶界第二相的含量及分布等。实际的氮化铝陶瓷为多相组成的多晶体，它主要由氮化铝晶相、铝酸盐第二相（晶界相）以及气孔等缺陷组成。除了对氮化铝的晶格缺陷进行研究外，许多人还对氮化铝的晶粒、晶界形貌、晶界相的组成、性质、含量、分布、以及它们与热导率的关系进行了较广研究，一般认为铝酸盐第二相的分布对热导率的影响很为重要。陶瓷注射成型技术在制备复杂小部件方面有着其不可比拟的独特优势。成都微米氮化铝销售公司

由于氮化铝具有与铝、钙等金属不润湿等特性，所以可以用其作坩埚、保护管、浇注模具等。将氮化铝陶瓷作为金属熔池可以用在浸入式热电偶保护管中，由于它不粘附熔融金属，在800~1000度的熔池中可以连续使用大约3000个小时以上并且不会被侵蚀破坏。此外，由于氮化铝材料对熔盐砷化镓等材料性能稳定，那么将氮化铝坩埚替代玻璃进行砷化镓半导体的合成，能够完全消除硅的污染而得到高纯度的砷化镓。氮化铝陶瓷拥有高硬度和高温强度性能，可制作切割工具、砂轮、拉丝模以及制造工具材料、金属陶瓷材料的原料。苏州微米氮化铝粉体品牌氮化铝陶瓷基板具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点。

目前AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结(SPS)、微波烧结和自蔓延烧结。热压烧结是在加热粉体的同时进行加压，利用通电产生的焦耳热和加压造成的塑性变形来促进烧结过程的进行。相对于无压烧结来说，热压烧结的烧结温度要低得多，而且烧结体致密，气孔率低，但其加热、冷却所需时间较长，且只能制备形状不太复杂的样品。热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。由于AlN具有很强的共价性，故其在常压烧结时需要的烧结温度很高。在常压烧结条件下，添加了Y2O3的AlN粉能产生液相烧结的温度为1600℃以上，且烧结温度要受AlN粒度、添加剂种类及添加剂的含量等因素的影响。常压烧结的烧结温度一般为1600～2000℃，保温时间为2h。

提高氮化铝陶瓷热导率的途径：加入适当的烧结助剂，引入添加剂主要有两方面的作用：促进氮化铝陶瓷致密化。氮化铝是共价化合物，具有熔点高、自扩散系数小的特点，一般难以烧结致密，使用添加剂可以在较低温度产生液相，润湿晶粒，从而达到致密化。净化晶格。氮化铝低氧有很强的亲和力，晶格中经常固溶了氧，产生铝空位，降低了声子的平均自由程，热导率也因此降低。合适的添加剂可以有效与晶格中氧反应生成第二相，净化晶格，提高热导率。大量的研究表明，稀土金属氧化物和氟化物、碱土金属氧化物和氟化物等均可以作为助烧剂提高氮化铝的热导率。但添加剂的量应适当，过多会增加杂质含量，从而影响热导率；过少又起不到烧结助剂的作用。复合助剂比单一的添加剂能更有效的提高热导率，同时还能降低烧结温度。氮化铝陶瓷作为耐火材料应用于纯铁、铝以及铝合金的熔炼。

氮化铝（AlN）陶瓷作为一种新型的电子器件封装基板材料，具有热导率高、强度高、热膨胀系数低、介电损耗小、耐高温及化学腐蚀，绝缘性好，而且无毒环保等优良性能，是被国内外一致看好很具有发展前景的陶瓷材料之一。作为一种非常适合用于高功率、高引线和大尺寸芯片封装基板材料，氮化铝陶瓷基板的热导率一直是行业内关注研究的难题，目前商用氮化铝基板的热导率距离其理论热导率还有很大的差距，因此，在降低氮化铝陶瓷烧结温度的同时研制出更高热导率的氮化铝陶瓷基板，对于电子器件的快速发展有着重大意义。要想制备出热导率更高的氮化铝基板，就要从其导热原理出发，探究究竟哪些因素影响了热导率。复合材料，环氧树脂/AlN复合材料作为封装材料，需要良好的导热散热能力，且这种要求愈发严苛。大连电绝缘氮化铝多少钱

由于铝和氮的原子序数小，氮化铝本身具有很高的热导率。成都微米氮化铝销售公司

活性金属钎焊法是在普通钎料中加入一些化学性质较为活泼的过渡元素如：Ti、Zr、Al、Nb、V等。一定温度下，这些活泼元素会与陶瓷基板在界面处发生化学反应，形成反应过渡层，如图7所示。反应过渡层的主要产物是一些金属间化合物，并具有与金属相同的结构，因此可以被熔化的金属润湿。共烧法是通过丝网印刷工艺在AlN陶瓷生片表面涂刷一层难熔金属（Mo、W等）的厚膜浆料，一起脱脂烧成，使导电金属与AlN陶瓷烧成为一体结构。共烧法根据烧结温度的高低可分为低温共烧(LTCC)和高温共烧(HTCC)两种方式，低温共烧基板的烧结温度一般为800-900℃，而高温共烧基板的烧结温度为1600-1900℃。烧结后，为了便于芯片引线键合及焊接，还需在金属陶瓷复合体的金属位置镀上一层Sn或Ni等熔点较低的金属。成都微米氮化铝销售公司