企业商机
氮化铝基本参数
  • 品牌
  • HumiSeal,4A,东京测器
  • 型号
  • 齐全
氮化铝企业商机

氮化铝化铝陶瓷是以氮化铝(AlN)为主晶相的陶瓷,氮化铝晶体以四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。化学组成Al(65.81%)、N(34.19%),比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450°C,为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)*10-6/℃。多晶氮化铝热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。氮化铝陶瓷有很多优良特性,但是其难加工属性限制了氮化铝陶瓷的发挥。氮化铝陶瓷用普通CNC不能很好的加工,主要是因为氮化铝陶瓷材料较硬,普通CNC不适合加工硬度过高的材料,并且机床内部的精密零件也容易受到陶瓷粉末的侵蚀,加工氮化铝陶瓷可以用鑫腾辉陶瓷CNC,刚性强,防护等级高,专门加工氮化铝陶瓷等特种陶瓷材料。陶瓷注射成型技术是一种制造复杂形状陶瓷零部件的新兴技术。微米氮化铝报价

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氮化铝,共价键化合物,化学式为AIN,是原子晶体,属类金刚石氮化物、六方晶系,纤锌矿型的晶体结构,无毒,呈白色或灰白色。AlN很高可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层,能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成,产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成,产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。温州纳米氧化铝价格氮化铝材料有陶瓷型和薄膜型两种。

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氮化铝陶瓷的制备技术:压制成形的三个阶段:一阶段,主要是颗粒的滑动和重排,无论是一般的粉体或者造粒后的粉体,其填充于模具中的很初结构中都含有和颗粒尺寸接近或稍小的空隙。第二阶段,颗粒接触点部位发生变形和破裂,当压力超过颗粒料的表观屈服应力时,颗粒发生变形使得颗粒间空隙减小,随着颗粒的变形,坯体体积很大空隙尺寸减少,塑性低的致密粒料对应的屈服应力大,达到相同致密度所需要更高的压力。第三阶段,坯体进一步密实与弹性压缩,这一阶段起始于高压力阶段,但密度提高幅度较小,此阶段发生一定程度的弹性压缩,这种弹性压缩过大,则在脱模后会造成应力开裂与分层。模压成型的优点是成型坯体尺寸准确、操作简单、模压坯体中粘结剂含量较少、干燥和烧成收缩较小,特别适用于制备形状简单、长径比小的制品。但是,这种传统的成型方法效率低,且制得的AlN陶瓷零部件的尺寸精度取决于所用模具的精度,而高精度模具的制备成本较高。

氮化铝陶瓷具有优良的热、电、力学性能,所以它的应用范围比较广。可以制成氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电耗损小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。氮化铝陶瓷硬度高,超过氧化铝陶瓷,也可用于磨损严重的部位。利用氮化铝陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。氮化铝新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。氮化铝陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中较广应用。由于氮化铝压电效应的特性,氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。

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机械连接法的特点是采取合理的结构设计将AlN基板与金属连接在一起,主要有热套连接和螺栓连接两种。机械连接方法具有工艺简单,可行性好等特点,但它常常会产生应力集中,并且不适用于高温环境。厚膜法是通过丝网印刷在AlN基板表面涂刷一层导体浆料,经烧结形成引线接点及电路。厚膜导体浆料一般由导电金属粉末(Au、Ag、Cu等,粒度为1-5μm)、玻璃粘结剂和有机载体(包括表面活性剂、有机溶剂和增稠剂等)经混合球磨而成。其中导电金属粉末决定了浆料成膜后的电学性能和机械性能,玻璃粘结剂的作用是粘结导电金属粉末与基体材料并决定了两者之的粘结强度,有机载体作为溶剂将金属粉末与粘结剂混合在一起。氮化铝是高温和高功率的电子器件的理想材料。微米氮化铝报价

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脱脂体中的残留碳被除去,以得到具有理想煅烧体组织和热导率的氮化铝煅烧体。如果炉内压力超过150Pa,则不能充分地除去碳,如果温度超过1500℃进行加热,氮化铝晶粒将会有致密化的趋势,碳的扩散路径将会被闭合,因此不能充分的除去碳。此处,如果在炉内压力0.4MPa以上的加压气氛下进行煅烧,则液相化的煅烧助剂不易挥发,能有效的预制氮化铝晶粒的空隙产生,能有效的提高氮化铝基板的绝缘特性;如果煅烧温度不足1700℃,则由于氮化铝的晶粒的粒子生长不充分而无法得到致密的的煅烧体组织,导致基板的导热率下降,;另一方面,如果煅烧温度超过1900℃,则氮化铝晶粒过度长大,导致氧化铝晶粒间的空隙增大,从而导致氮化铝基板的绝缘性下降。一般而言,氮化铝晶粒的平均粒径在2μm到5μm之间可以有较好的热导率及机械强度。晶粒过小,致密度下降,则导热率下降;晶粒过大,则氮化铝晶粒间隙增大,从而存在绝缘性、机械强度下降的情况。此处,非氧化性气氛是指不含氧等氧化性气体的惰性气氛,还原气氛等。微米氮化铝报价

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