在上述硅烷系偶联剂的含量处于上述含量范围内的情况下,能够调节添加剂本身凝胶化,且获得合适的sio2防蚀和sin蚀刻性能。(c)水本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述水可以为用于半导体工序的去离子水,推荐使用18mω/㎝以上的上述去离子水。上述水的含量可以为使包含本发明的必须成分以及除此以外的其他成分的组合物总重量成为100重量%的余量。推荐可以按照本发明的组合物总重量的2~45重量%来包含。<选择添加剂的方法、由此选择的添加剂及利用其的蚀刻方法>此外,本发明提供选择用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*对上述氮化物膜选择性蚀刻的蚀刻液组合物的添加剂的方法、由此选择的添加剂以及利用该添加剂的蚀刻方法。上述蚀刻液组合物中说明的、对于添加剂选择等的一切内容均可以同样地应用于本发明的选择用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜的蚀刻液组合物的添加剂的方法、由此选择的添加剂以及利用该添加剂的蚀刻方法。具体而言,提供选择用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜的蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法、由此选择的硅烷系偶联剂以及包含该硅烷系偶联剂的蚀刻方法。上海和辉光电用的哪家的蚀刻液?南京铜蚀刻液蚀刻液产品介绍
故仍旧会有少量的药液51喷洒在挡液板结构10上而留下该药液51的水滴,而该药液51的水滴亦不能落入该基板20上,以避免基板20的蚀刻不均的现象产生;此外,该输送装置30用以承载并运送至少一该基板20于该湿式蚀刻机内运行,并接受湿式蚀刻的喷洒装置50的制程运作,故该输送装置30具有一驱动机构以驱动该滚轮31转动,以带动该基板20由该喷洒装置50下端部朝向该风刀装置40的该***风刀41下端部的方向移动。步骤三s3:使用一设置于该挡液板结构10下方的风刀装置40对该基板20吹出一气体43,以使该基板20干燥;在本实用新型其一较佳实施例中,该风刀装置40设置于该挡液板结构10的一端部,该风刀装置40包括有一设置于该基板20上方的***风刀41,以及一设置于该基板20下方的第二风刀42,其中该***风刀41与该第二风刀42分别吹出一气体43至该基板20,以将该基板20上的该药液51带往与相反于该基板20的行进方向,以使该基板20降低该药液51残留,其中该气体43远离该***风刀41与该第二风刀42的方向分别与该基板20的法线方向夹设有一第三夹角θ3,且该第三夹角θ3介于20度至35度之间。步骤四s4:该气体43经由该复数个宣泄孔121宣泄;在本实用新型其一较佳实施例中。市面上哪家蚀刻液销售厂家蚀刻液的技术指标哪家比较好?
因此存在开发蚀刻液组合物时会过度耗费时间和费用的问题。美国公开**第2号公开了在3dnand闪存的制造工序中,对于硅氧化物膜和硅氮化物膜*选择性蚀刻硅氮化物膜的蚀刻液组合物。然而,为了选择构成成分的种类和浓度,不得不需要测试蚀刻液组合物的蚀刻性能,实际情况是,与上述同样,仍然没有解决在找寻蚀刻液组合物的适宜组成方面过度耗费时间和费用的问题。现有技术文献**文献**文献1:美国公开**第2号技术实现要素:所要解决的课题本发明是为了改善上述以往技术问题的发明,其目的在于,提供用于选择硅烷系偶联剂的参数以及包含由此获得的硅烷系偶联剂的蚀刻液组合物,所述硅烷系偶联剂作为添加剂即使不进行另外的实验确认也具有在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻氮化物膜的效果和防蚀能力。此外,本发明的目的在于,提供一种以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中能够*选择性蚀刻上述氮化物膜为特征的蚀刻液组合物。此外,本发明的目的在于,提供利用上述蚀刻液组合物的蚀刻方法。此外,本发明的目的在于,提供选择上述蚀刻液组合物所包含的硅烷系偶联剂的方法。解决课题的方法为了实现上述目的,本发明提供一种蚀刻液组合物,其特征在于,包含磷酸、硅烷。
将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用;第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。作为推荐的技术方案,所述磁力泵出口压力≤,过滤器入口压力≤。根据制备铜蚀刻液的原料确定磁力泵的出口压力和过滤器的入口压力,包装原料可以被充分过滤。作为推荐的技术方案,所述调配罐内的温度设定在30~35℃。调配罐的温度不能超过35℃,由于过氧化氢的密度随温度的升高而减小,因此保证交底的反应温度有助于保证原料体系的稳定作为推荐的技术方案,所述过滤器的微滤膜孔径为~μm。作为推荐的技术方案,第三步中各种原料在~,调配罐内填充氮气,搅拌速度为30~50r/min。作为推荐的技术方案,原料罐和调配罐大拼配量不超过罐容积的80%。本发明的优点和有益效果在于:本发明在制备酸性铜蚀刻液的过程中,用低温纯水(10℃)替代常温纯水(25℃),将低温纯水加入反应体系中,降低反应体系的反应温度。蚀刻液蚀刻后的样貌形态。
对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。实施例一,请参阅图1-4,本实用新型提供技术方案:高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,包括装置主体1、支撑腿2、电源线3和单片机4,装置主体1的底端固定连接有支撑腿2,装置主体1的后面一侧底部固定连接有电源线3,装置主体1的一侧中间部位固定连接有控制器5,装置主体1的内部底端一侧固定连接有单片机4,装置主体1的顶部一端固定连接有去离子水储罐14,装置主体1的顶部一侧固定连接有磷酸储罐15,磷酸储罐15的底部固定连接有搅拌仓23,搅拌仓23的内部顶部固定连接有搅拌电机13,搅拌仓23的另一侧顶部固定连接有醋酸储罐16,装置主体1的顶部中间一侧固定连接有硝酸储罐17,装置主体1的顶部中间另一侧固定连接有阴离子表面活性剂储罐18,阴离子表面活性剂储罐18的另一侧固定连接有聚氧乙烯型非离子表面活性剂储罐19,装置主体1的顶部另一侧固定连接有氯化钾储罐20。如何挑选一款适合公司的蚀刻液?银蚀刻液蚀刻液销售公司
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内嵌观察窗402通过观察窗翻折滚轮401内嵌入装置内部,工作人员可通过内嵌的透明窗对内部的制备状况进行实时查看,从而很好的体现了该装置的实时性。推荐的,盐酸装罐7的顶端嵌入连接有热水流入漏斗9,在进行制备时需要向盐酸装罐7内倒入一定比例的热水进行均匀调和,由于热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应,溅出容易伤害工作人员,通过设置热水流入漏斗9,工作人员可沿着热水流入漏斗9将热水缓缓倒入盐酸内,从而很好的减小了发生反应的剧烈程度,很好的起到了保护作用。推荐的,装置底座5的内部两侧紧密焊接有加固支架10,由于制备装置为一体化装置,承载设备较多,质量较重,对底座会产生较大的压力,通过设置加固支架10,加固支架10为连接在两侧底座支柱的三角结构,利用三角结构稳定原理对装置底座5起到了很好的加固效果。推荐的,制备装置主体1的两端紧密贴合有防烫隔膜11,由于制备装置在进行制备时会发***热反应,使得装置外壳稳定较高,工作人员直接接触有烫伤风险,通过设置防烫隔膜11,防烫隔膜11为很好的隔热塑胶材料,能够很好的防止工作人员被烫伤,很好的体现了该装置的防烫性。推荐的,高效搅拌装置2是由内部顶部中间部位的旋转摇匀转盘12。南京铜蚀刻液蚀刻液产品介绍
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