烧结是指陶瓷粉体经压力压制后形成的素坯在高温下的致密化过程,在烧结温度下陶瓷粉末颗粒相互键联,晶粒长大,晶界和坯体内空隙逐渐减少,坯体体积收缩,致密度增大,直至形成具有一定强度的多晶烧结体。氮化铝作为共价键化合物,难以进行固相烧结。通常采用液相烧结机制,即向氮化铝原料粉末中加入能够生成液相的烧结助剂,并通过溶解产生液相,促进烧结。AlN烧结动力:粉末的比表面能、晶格缺陷、固液相之间的毛细力等。要制备高热导率的AlN陶瓷,在烧结工艺中必须解决两个问题:是要提高材料的致密度,第二是在高温烧结时,要尽量避免氧原子溶入的晶格中。氮化铝粉体的制备工艺主要有直接氮化法和碳热还原法。衢州导热氧化铝销售公司
纳米氮化铝粉体主要用途:导热塑料中的应用:纳米氮化铝粉体可以大幅度提高塑料的导热率。通过实验产品以5-10%的比例添加到塑料中,可以使塑料的导热率从原来的0.3提高到5。导热率提高了1l6倍多。相比较目前市场上的导热填料(氧化铝或哦氧化镁等)具有添加量低,对制品的机械性能有提高作用,导热效果提高更明显等特点。目前相关应用厂家已经大规模采购纳米氮化铝粉体,新型的纳米导热塑料将投放市场。高导热硅橡胶的应用:与硅匹配性能好,在橡胶中容易分散,在不影响橡胶的机械性能的前提下(实验证明对橡胶的机械性能还有提高作用)可大幅度提升硅橡胶的导热率,在添加过程中不象氧化物等使黏度上升很快,添加量很小(根据导热要求一般在5%左右就可以使导热率提高50%-70%),现较广应用与,航空以及信息工程中。温州纳米氮化铝哪家好结晶氮化铝易潮解,在湿空气中水解生成氯化氢白色烟雾。
热压烧结:即在一定压力下烧结陶瓷,可以使加热烧结和加压成型同时进行。无压烧结:常压烧结氮化铝陶瓷一般温度范围为1600-2000℃,适当升高烧结温度和延长保温时间可以提高氮化铝陶瓷的致密度。微波烧结:微波烧结也是一种快速烧结法,利用微波与介质的相互作用产生介电损耗而使坯体整体加热的烧结方法。放电等离子烧结:融合等离子活化、热压、电阻加热等技术,具有烧结速度快,晶粒尺寸均匀等特点。自蔓延烧结:即在超高压氮气下利用自蔓延高温合成反应直接制备AlN陶瓷致密材料。但由于高温燃烧反应下原料中的Al易熔融而阻碍氮气向毛坯内部渗透, 难以得到致密度高的AlN陶瓷。以上5中烧结工艺中,热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。
氮化铝陶瓷的注凝成型:该工艺的基本原理是在黏度低、固相含量高的料浆中加入有机单体,在催化剂和引发剂的作用下,使料浆中的有机单体交联聚合形成三维网状结构,使料浆原位固化成型,然后再进行脱模、干燥、去除有机物、烧结,即可得到所需的陶瓷零件。注凝成型的工艺特点:坯体强度高、坯体整体均匀性好、可做近净尺寸成型、适于制备复杂形状陶瓷部件和工业化推广、无排胶困难、成本低等。目前流延成型和注射成型在制备氮化铝陶瓷方面具有一定优势,随着科学技术的发展以及人们对环境污染的重视,凝胶流延成型和注凝成型必然会取代上述两种方法,成为氮化铝陶瓷的主要生产方法,从而促进氮化铝陶瓷的推广与应用。制备氮化铝粉末一般都需要较高的温度,从而导致生产制备过程中的能耗较高,同时存在安全风险。
高性能氮化铝陶瓷取决于氮化铝粉体的质量,到目前为止,制备氮化铝粉体有氧化铝粉碳热还原法、铝粉直接氮化法、化学气相沉积法、自蔓延高温合成法等多种方法,各种方法都有其自身的优缺点。综合来看,氧化铝粉碳热还原法和铝粉直接氮化法比较成熟,是目前制备高性能氮化铝粉的主流技术,已经用于工业化大规模生产。氮化铝粉体制备的技术发展趋势主要表现在两个方面:一是进一步提升氮化铝粉体的性能,使之能够制造出更高热导率的氮化铝陶瓷产品;二是进一步提升氮化铝粉体批次生产稳定性,增大批生产量,降低生产成本。我国目前的高性能氮化铝粉基本依赖进口,不但价格高昂,而且随时存在原材料断供的风险。因此,实现高性能氮化铝粉制造技术的国产化,已成为当务之急。氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小。温州片状氮化铝粉体供应商
氧化铝陶瓷基板的热导率低,热膨胀系数和硅不太匹配。衢州导热氧化铝销售公司
在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中,Si3N4陶瓷抗弯强度很高,耐磨性好,是综合机械性能很好的陶瓷材料,同时其热膨胀系数很小,因而被很多人认为是一种很有潜力的功率器件封装基片材料。但是其制备工艺复杂,成本较高,热导率偏低,主要适合应用于强度要求较高但散热要求不高的领域。而氮化铝各方面性能同样也非常,尤其是在电子封装对热导率的要求方面,氮化铝优势巨大。不足的是,较高成本的原料和工艺使得氮化铝陶瓷价格很高,这是制约氮化铝基板发展的主要问题。但是随着氮化铝制备技术的不断发展,其成本必定会有所降低,氮化铝陶瓷基板在大功率LED领域大面积应用指日可待。衢州导热氧化铝销售公司
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