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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

可控硅模块在电子行业中应用以及发展比较广,它已经应用到了很多电子设备中,不同设备中使用的可控硅模块类型也是不同的,下面可控硅模块厂家就来来您了解一下。


1.选择可控硅模块的类型可控硅模块有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。


  若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通可控硅模块。


  若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向可控硅模块。


  若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断可控硅模块。


  若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG可控硅模块。


  若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导可控硅模块。


  若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控可控硅模块。 淄博正高电气有限公司产品适用范围广,产品规格齐全,欢迎咨询。济宁小功率可控硅模块品牌

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您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?

可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压,只有当正向触发电压时,可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流,即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。

接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值,即保持电流IH。有两种方法:

1.将正极电压降低至数值,或添加反向阳极电压。

2.增加负载电路中的电阻。

以上是可控硅模块的导通状态,希望能帮助您 江苏大功率可控硅模块组件淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进,共创未来!

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可控硅模块规格的选择方法:考虑到可控硅产品一般为非正弦电流,存在导通角问题,负载电流存在一些波动和不稳定因素,晶闸管芯片抗电流冲击能力差,在选择模块电流规格时必须留出一定的裕度。

推荐选择方法可按照以下公式计算:I>K×I负载×U∕U实际

K :安全系数,阻性负载K= 1.5,感性负载K= 2;

I负载:负载流过的强大电流; U实际:负载上的小电压;

U强大 模块能输出的强大电压;(三相整流模块为输入电压的1.35倍,单相整流模块为输入电压的0.9倍,其余规格均为1.0倍);

I:需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。

可控硅模块的特性

单向晶闸管模块具有其独特的特性:当阳极连接到反向电压时,或阳极连接到正向电压时,但控制极不增加电压,则不会导通,当阳极和控制极同时连接到正向电压时,将变为接通状态。一旦接通,控制电压将失去控制作用。无论有无控制电压,无论控制电压的极性如何,都将始终处于接通状态。若要关闭,只能将阳极电压降到某个临界值或反向。

双向晶闸管模块的管脚大多按T1、T2和G的顺序从左到右排列(当电极管脚朝着带有字符的一侧向下时)。当改变施加到控制极G的触发脉冲的大小或时间时,其接通电流的大小可以改变。 淄博正高电气有限公司愿和各界朋友真诚合作一同开拓。

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导通角与模块输出电流的关系:山东可控硅模块的导通角与模块能输出的器强大电流有直接关系,模块的标称电流是强大导通角时能输出的强大电流。在小导通角(输出电压与输入电压比值很小)下输出的电流峰值很大,但电流的有效值很小(直流仪表一般显示平均值,交流仪表显示非正弦电流时比实际值小),但是输出电流的有效值很大,半导体器件的发热与有效值的平方成正比,会使模块严重发热甚至烧毁。因此,山东可控硅模块应选择在强大导通角的65%以上工作,及控制电压应在5V以上。淄博正高电气有限公司拥有业内**人士和高技术人才。济宁小功率可控硅模块品牌

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可控硅模块选购注意事项:

(1)注明您需要的产品的型号、结构(螺栓、凹台、凸台)、配置散热器型号。

(2)注明您关注的参数要求。

(3)选择电流电压时要留有适当的余量;


可控硅模块使用注意事项:

(1)线路中须有过压过流保护措施,串并联使用时必须有均流措施。

(2)用万用表简单判断器件是否损坏: 门阴极间电阻,应有十几或几十Ω,否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻,应大于1MΩ,(整流管正向除外),电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良,电阻近零时表明器件已击穿。发现有短路或断路现象时,应立即更换。

(3)严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。

(4)电流为5A以上的可控硅模块要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅模块管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。

(5)按规定对主电路中的可控硅模块采用过压及过流保护装置。

(6)要防止可控硅模块控制极的正向过载和反向击穿。

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