可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。过电压保护的第一种方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用压敏电阻或硒堆等非线性元件加以。过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。3.电流上升率、电压上升率的保护(1)电流上升率di/dt的可控硅初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域,局部电流密度很大,然后以μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面,若可控硅开通时电流上升率di/dt过大,会导致PN结击穿,必须限制可控硅的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在可控硅的阳极回路串联入电感。如下图:(2).电压上升率dv/dt的加在可控硅上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时引起晶闸管误导通。为dv/dt的作用,可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。如下图:4.为什么要在可控硅两端并联阻容网络在实际可控硅电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。可控硅有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下。淄博正高电气以更积极的态度,更新、更好的产品,更优良的服务,迎接挑战。滨州三相可控硅调压模块型号

滨州三相可控硅调压模块型号,可控硅调压模块

除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管,双向晶闸管,整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A,国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,方便地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流——可变直流二、交流调压与调功利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波,出现了一种过零触发,实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电:将三相高压交流整流为高压直流,由高压直流远距离输送以减少损耗。增加电力网的稳定。青岛可控硅调压模块结构淄博正高电气企业文化:服务至上,追求超越,群策群力,共赴超越。

滨州三相可控硅调压模块型号,可控硅调压模块

可控硅的首先参数有:1、额定通态均匀电流IT正在必然条件下,阳极---阴极间能够持续通过的50赫兹正弦半波电流的均匀值。2、正向阻断峰值电压VPF正在控造极开路未加触发,阳极正向电压还未超越导能电压时,能够反复加正在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅接受的正向电压峰值,不克不及超越手册给出的那个参数值。3、反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断形态时,能够反复加正在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不克不及超越手册给出的那个参数值。4、触发电压VGT正在划定的环境温度下,阳极---阴极间加有必然电压时,可控硅从关断形态转为导通形态所需要的小控造极电流和电压。水管以回转方式固定敷设在金属板壳的内侧,进水口和出水口分别从隔断龙骨上的两个穿管孔穿到金属板壳的藏管区,然后分别从金属板壳的穿管孔穿出金属板壳的保温板区内填充发泡类保温材料,将水管固定在金属板壳的内侧,并且将金属板壳、水管和铝箔纸粘结成为一个整体5、维持电流IH正在划定温度下,控造极断路,维持可控硅导通所必须的小阳极正向电流。很多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,能够用正或负的触发控造两个标的目的导通的双向可控硅。

会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压,由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因,这些过电压值是正常值的2~10倍以上。一般来说,开闭速度越快,过电压越高,则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。(2)直流侧产生的过电压例如,如果切断电路的电感较大。淄博正高电气生产的产品受到用户的一致称赞。

滨州三相可控硅调压模块型号,可控硅调压模块

六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT,是指在规定环境温度和标准散热条件下,当通过晶闸管的电流为额定电流时,其阳极A与阴极K之间电压降的平均值,通常为。(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT,是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电压,一般为。(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT,是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电流。(九)晶闸管门极反向电压门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压,一般不超过10V。(十)晶闸管维持电流IH维持电流IH是指维持晶闸管导通的小电流。当正向电流小于IH时,导通的晶闸管会自动关断。(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR断态重复峰值电流IDR,是指晶闸管在断态下的正向大平均漏电电流值,一般小于100μA(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM反向重复峰值电流IRRM,是指晶闸管在关断状态下的反向大漏电电流值,一般小于100μA。淄博正高电气生产的产品质量上乘。菏泽单相可控硅调压模块供应商

淄博正高电气尊崇团结、信誉、勤奋。滨州三相可控硅调压模块型号

电力调整器其实有着别的名称,比如说可以叫做可控硅也可以叫做调功调压器或者是功率调整器以及还有其他的一些像是调相器以及调功器等等,因为是属于一种无级的电力调整的设备,也是属于在工业的电热的行业中控制的利器,也有一些比较节能节电的环保型的产品。它是一种以晶闸管(电力电子器件)为主要基础的,可以以智能的数字进行相应的控制电路这些为中心的电源功率的控制电器,这样看来又可以称为可控硅调功器,可控硅的调整器以及可控硅的调压器,晶闸管调整器以及晶闸管调压器等等一些别的名称。这些也具有效率比较高、没有机械的噪声以及磨损,响应的速度也是比较快的,体积也比较小,重量同样也是比较轻的,像是这些的还有很多,而且晶闸管的调功器也会通过对电压、电流以及功率进行控制的,这样就可以实现进行很精密的控温。并且可以凭借很先进的数字进行控制,这样也优化了电能的使用的功率,相对于节约电能起到了一定的作用。晶闸管调功器的可以在什么行业进行使用呢?1.首先是电炉行业有退火炉、烘干炉、烧结炉以及淬火炉,还有一些是工业行业上的像是井式电炉、滚动电炉以及台车电炉。滨州三相可控硅调压模块型号

淄博正高电气有限公司坐落于交通便利、经济发达、文化底蕴深厚的淄博市临淄区,是专业从事电力电子产品、及其相关产品的开发、生产、销售及服务为一体的高科技企业。主要生产各类规格型号的晶闸管智能模块、固态继电器模块、桥臂模块、整流桥模块、各类控制柜和配套模块使用的触发板、控制板等产品,并可根据用户需求进行产品设计加工。近年来,本公司坚持以人为本,始终立足于科技的前沿,狠抓产品质量,产品销往全国各地,深受用户的好评。 淄博正高电气有限公司伴随着发展的脚步,在社会各界及客户的大力支持下,生机勃发,春意盎然。面向未来,前程似锦,豪情满怀。今后,我们将进一步优化产品品质,坚持科技创新,一切为用户着想,以前列的服务为社会奉献高、精、尖的优良产品,不断改进、不断提高是我们不变的追求,用户满意是我们追求的方向。正高电气全体员工恭候各界朋友前来我公司参观指导,恰谈业务!

与可控硅调压模块相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责