在负半周期间,C向R3和R2放电并触发双向可控硅,这样使双向可控硅继续导通,保证负载正常工作。一旦电网突然停电,C上的电荷经R3和R2放电。在电网恢复供电后,由于K1常开,C上又无电压,不能使双向可控硅触发导通,电路呈断开自锁状态,因此没有电流流过负载。只有重按一下K1,负载才能正常工作,从而有效地防止了因断电后恢复供电造成的浪费和。常闭按钮K2用于正常供电情况下关断电路。10:双色彩灯本彩灯是以多谐振荡器为控制信号,灯光交替闪耀,可给节日晚上(尤其是舞会)增加不少光彩和欢快气氛。工作原理如下图所示。交流220V电源经C1、VD1、VD2及VD3降压、整流、滤波后,在VD3两端得到3V的稳定电压。多谐振荡器中的VT1、VT2轮流导通,其集电极电流控制双向晶闸管VS1和VS2工作,彩灯将交替闪烁着光彩。元器件选择:电容C1为μ/400V(涤纶电容)、C2为220μ/6V,C3、C4为50μ/16V。电阻R1为1M/1W,R2、R3为20K/1/4W。二极管VD1、VD2选1N4004。稳压二极管VD3选3V/1W。发光二极管VD4、VD5为FG114001。双向晶闸管VS1、VS2为TLC3A/400V。三极管VT1、VT2为3CK9D,60≤β≤120。使用方法:(1)如彩灯不亮,将3V稳压管换成。(2)为防止流过发光二极管VD4、VD5的电流过大。淄博正高电气有着优良的服务质量和极高的信用等级。潍坊整流晶闸管移相调压模块结构
可控硅模块触发电路时需要满足的必定要求可控硅模块的作用主要体验在电路中,在电路中经常会见到可控硅模块的身影,由此可见它的应用是多么的强大,可控硅模块的其中一个作用就是触发电路,但是触发电路时需要满足三个必定条件,下面正高电气带您来看看这三个条件是什么?一、可控硅模块触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度为了使全部的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发,可控硅模块触发电路所送出的触发电压和电流,必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的较大值,并且留有足够的余量。另外,由于可控硅的触发是有一个过程的,也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间,不是一触即通,只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时,管子才能导通,所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如:一般可控硅的导通时间在6μs左右,故触发脉冲的宽度至少在6μs以上,一般取20~50μs,对于大电感负载,由于电流上升较慢,触发脉冲宽度还应加大,否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上,则可控硅又重新关断,所以脉冲宽度下应小于300μs,通常取1ms。江西三相晶闸管移相调压模块功能淄博正高电气产品适用范围广,产品规格齐全,欢迎咨询。
可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异。控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种)。螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极----阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。其结构示意图和符号。从图表-26中可以看到,可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先,我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。对可控硅来说,触发信号加入控制极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib1)这一电流远大于Ib1,足以保持BG1的持续导通。淄博正高电气是多层次的模式与管理模式。
鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。淄博正高电气不懈追求产品质量,精益求精不断升级。江西三相晶闸管移相调压模块功能
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措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变,在次级感生出很高的瞬时电压,这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压,即偶发性浪涌电压,都必须加阻容吸收路进行保护。3.直流侧过电压及保护当负载断开时或快熔断时,储存在变压器中的磁场能量会产生过电压,显然在交流侧阻容吸收保护电路可以这种过电压,但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大,还不能完全消除。措施:能常采用压敏吸收进行保护。4.过电流保护一般加快速熔断器进行保护,实际上它不能保护可控硅,而是保护变压器线圈。5.电压、电流上升率的限制4.均流与晶闸管选择均流不好,很容易烧坏元件。为了解决均流问题,过去加均流电抗器,噪声很大,效果也不好,一只一只进行对比,拧螺丝松紧,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我们采用的办法是:用计算机程序软件进行动态参数筛选匹配、编号,装配时按其号码顺序装配,很间单。每一只元件上都刻有字,以便下更换时参考。这样能使均流系数可达到。潍坊整流晶闸管移相调压模块结构
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