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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

可控硅模块的特性

单向晶闸管模块具有其独特的特性:当阳极连接到反向电压时,或阳极连接到正向电压时,但控制极不增加电压,则不会导通,当阳极和控制极同时连接到正向电压时,将变为接通状态。一旦接通,控制电压将失去控制作用。无论有无控制电压,无论控制电压的极性如何,都将始终处于接通状态。若要关闭,只能将阳极电压降到某个临界值或反向。

双向晶闸管模块的管脚大多按T1、T2和G的顺序从左到右排列(当电极管脚朝着带有字符的一侧向下时)。当改变施加到控制极G的触发脉冲的大小或时间时,其接通电流的大小可以改变。 淄博正高电气有限公司深受各界客户好评及厚爱。东营大功率可控硅模块品牌

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断一个可控硅元件是否完好,工程师需要从四个方面进行检查,首先是判断该元件的三个PN结应完好,其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通,第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通,第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件,才是符合设计使用要求的。

  想要看一个可控硅元件是否符合以上要求,其实非常简单,只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。 西藏反并联可控硅模块报价淄博正高电气有限公司推行现代化管理制度。

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可控硅模块与其它功率器件一样,工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去,就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化,直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中相当主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作,设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要,千万不可大意!散热器的常用散热方式有:自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是:控制模块中管芯的结温Tj不超过产品数据表给定的额定结温

可控硅模块主要优点如下:

(1)采用进口方形可控硅支撑板,降低了可控硅模块的电压,功耗低,效率高,节能效果好。

(2)采用进口插入元件,保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。

(3)(DCB)陶瓷铜板采用独特的处理和特殊的焊接工艺,保证了晶闸管组件的焊接层无空腔,导热性好。

(4)导热绝缘包装材料具有优异的隔热防潮性能。

(5)触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离,导热基板不带电,介电强度≥2500V,保证安全。

(6)通过输入0-10V直流控制信号,可以平滑地调节主电路的输出电压。

(7)可采用手动控制、仪表控制或微机控制。

(8)适用于电阻和电感负载。 淄博正高电气有限公司拥有先进的产品生产设备,雄厚的技术力量。

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可控硅鉴别三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。

  阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。

  控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。

  若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。 淄博正高电气有限公司倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。西藏反并联可控硅模块报价

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您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?

可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压,只有当正向触发电压时,可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流,即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。

接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值,即保持电流IH。有两种方法:

1.将正极电压降低至数值,或添加反向阳极电压。

2.增加负载电路中的电阻。

以上是可控硅模块的导通状态,希望能帮助您 东营大功率可控硅模块品牌

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可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。**早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入 电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个 PN结的四层结构的大 功率半导体器件。
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