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1)安装1)按电路元件明细表配齐元件,并对元件进行检测。2)在面包板上根据电路图合理安排元件的位置。3)安装元件,确认无误后调试。(2)调试安装完毕的电路经检查确认无误后,接通电源进行调试。先调控制电路,然后再调试主电路。控制电路的调试步骤是:在控制电路接上电源后,先用示波器观察稳压管两端的电压波形,应为梯形波;再观察电容器两端的电压波形,应为锯齿波;调节电位器RP,锯齿波的频率有均匀的变化。表12—2所示为触发电路各点的波形图。主电路的调试步骤是:用调压器给主电路加一个低电压(40~50V),用示波器观察晶闸管阳、阴极之间的电压波形。波形上有一部分是一条平线,它是晶闸管的导通部分;调节电位器RP,波形中平线的长度随之变化,表示晶闸管导通角可调,电路工作正常。否则要检查原因,排除故障后,重新调试。待检查无误后,给主电路加工作电压,灯泡EL发光。调节RP,当增大RP时,则EL变暗;当减小RP时,则EL变亮,说明电路工作正常。青岛晶闸管智能模块批发正高电气从国内外引进了一大批先进的设备,实现了工程设备的现代化。
使设备进入稳态运行。若一次起动不成功,即自动调频电路没有抓住中频电压反馈信号,此时,它激信号便会一直扫描到比较低频率,重复起动电路一旦检测到它激信号进入到比较低频段,便进行一次再起动,把它激信号再推到比较高频率,重新扫描一次,直至起动成功,重复起动的周期约为。由CON2-1和CON2-2输入的中频电压信号,经IC1A转换成方波信号,输入到IC6的30角,由IC6的15P、16P输出的逆变触发信号。经IC7A隔离放大后,驱动逆变触发CMOS晶体管Q5、Q6。IC4B和IC4C构成逆变压控时钟,输入到IC6的33脚CLOK2;同时又由IC7B进行频压转换后用于驱动频率表。W6微调电位器用于设定压控时钟的比较高频(即逆变它激信号的比较高频率),W5微调电位器用于整定外接频率表的读数。另外,当发生过电压保护时,IC6内部的过电压保护振荡器起振,输出2倍于比较高逆变频率的触发脉冲,使逆变桥的4只晶闸管均导通。IC4A为起动失败检测器,其输出控制IC6内部重复起动电路。过电流保护信号经Q3倒相后,送到IC6的20P,整流触发脉冲:驱动“”LED批示灯亮和驱动报警继电器。过电流触发器动作后,只有通过复位信号或通过关机后再开机进行“上电复位”,方可再次运行。
过流保护如果想得到较安全的过流保护,建议用户优先使用内部带过流保护功能的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是**简单常用的方法,介绍如下:(1)快速熔断器的选择:①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压;②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的,按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。(2)接线方法:快速熔断器接在模块的输入端,负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差,当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时,即使时间很短,也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压,会引起晶闸管硬开通,它不仅使电路工作失常,且多次硬开通后元件正向转折电压要降低,甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护,推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。(1)阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时,和开关电路一样,因线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量会产生过电压。正高电气始终以适应和促进工业发展为宗旨。
难以实现起动方式的多样化。三是液阻软起动需要维护,液箱中水需要定期补充。电极板长期浸泡于电解液中,表面会有一定的锈蚀,需要作表面处理(大概2-3年一次)。四是液阻软起动装置不适合置放在易结水或颠簸的现场。近年有所谓的热变液阻软启动装置,通过液阻本身在软起动过程中的温升,借助电解液电导率与温度的正相关性实现无极板伺服机构的软启动。但是,其可行性大受质疑;它的限流器件不具备限流能力易控性,装置对使用环境温度要求高,软起动重复性差。二、磁控软起动器磁控软起动在起动开始时限流作用较强,在软起动过程中逐渐减弱。电抗器在起动完成后被旁路。限流作用的强弱变化是通过控制直流励磁电流、改变铁心的饱和度实现的,所以叫做磁控软起动。因为磁饱和电抗器的输出功率比控制功率大几十倍,它也可称为“磁放大器”。由于它不具有零输入对应零输出的特点,所以,不建议采用“磁放大器”这一词。磁饱和电抗器有三对交流绕组(每相一对)和三相共有的一个直流励磁绕组。在交流绕组里流过的是电动机定子电流,它必然会在直流励磁绕组上感应出电势;后者会影响励磁回路的运行。不是用一个,二是用一对交流绕组的主要原因就是为了抵消这种影响。显然。正高电气公司将以质量的产品,完善的服务与尊敬的用户携手并进!青岛晶闸管智能模块批发
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[1]单结管即单结晶体管,又称为双基极二极管,是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”,图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有:①分压比η,指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压(不包括PN结管压降)在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP,是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压,其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV,是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压,其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚,分别是:发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性,其基本工作原理如图示(以N基极单结管为例)。当发射极电压UE大于峰点电压UP时,PN结处于正向偏置,单结管导通。随着发射极电流IE的增加,大量空穴从发射极注入硅晶体,导致发射极与基极间的电阻急剧减小,其间的电位也就减小,呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时,万用表置于“R×1k”挡。滨州MTAC450晶闸管智能模块
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