CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容。
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
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三极管三极管是电流控制型器件，基极（B）的电流控制发射极（E）和集电极（C）之间的电流。下面以NPN管为例图示如下。NPN管的原理图示三极管好像是一个为了取小水而漏掉大水的例子。如上图所示，当不取水时，阀门关闭了大小管道，都没有电流。当通过小管道开启阀门取一点水的时候，水就会漫过阀门空隙流到大管道另外一端。当阀门开的越大，漏掉的水就越多，好像小水流可以控制大漏水一样，这就是线性工作区。如果阀门开大到一定程度，管子满了，那么再开大阀门也不会增加水流了，这就是饱和工作区。MOS管和三极管的特点有点相似：它们都可以做开关（饱和区），也都可以做放大器（线性区）使用。但是MOS管由于栅极与源漏之间是隔开的，没有像三极管那样直接联通，所以使用起来，各电极之间信号更干净更容易控制。所以MOS管已经是集成电路的主力了。 稳压二极管供应晶体管有时多指晶体三极管。
场效应管(MOS管)1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管3、场效应管电路符号：4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。5、场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。
三极管各区的工作条件：
1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：
2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；
3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。
半导体三极管的好坏检测
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
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用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表).
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位.
b;判别半导体三极管基极：
用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。
c;.判别半导体三极管的c极和e极：
确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。
d; 判别半导体三极管的类型.
如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果 测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管.
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电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。常见的有二极管等。电子元器件包括:电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证，美国的UL认证，德国的VDE和TUV以及中国的CQC认证等国内外认证，来保证元器件的合格。1N5822 二极管制造商
