mos管是金属—氧化物—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。光晶体管由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。广东电路晶体管
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r；δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---比较高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△。 遂宁晶体管批发晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件。
FinFET称为鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET),是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。一种半导体器件包括在硅衬底上形成的鳍式场效应晶体管(FinFET)和鳍式电容器。该鳍式电容器包括硅鳍片、位于硅鳍片之间的一个或多个导电体、以及位于硅鳍片和一个或多个导电体之间的绝缘材料。据市场研究报告：2015年到2022年，鳍式场效应晶体管（FinFET）的市场估值将从。2016年到2022年这段时间，复合年均增长率（CAGR）为％。FinFET的市场有一些推动因素，例如半导体设备不断表现出来的小型化特点和性能的提升，不断增长的移动端和电子支付市场，相比体技术有更高的性能、更小的漏电流。基于基本的FinFET技术，市场被细分成22纳米、20纳米、16纳米、14纳米、10纳米和7纳米。英特尔（美国）是家实现22纳米FinFET制程的公司，并主要用于其计算机和服务器的程序上。随着半导体器件小型化的需求不断提高，加之良好的性能参数和低功耗的要求，未来7nm的FinFET技术将高速发展。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。
严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式。
按功能结构分类：集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。按制作工艺分类：集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。按导电类型不同分类：集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。按用途分类：集成电路按用途可分为电视机用集成电路。音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种集成电路。IC由于体积小、功能强大、功耗低等优点，现在几乎所有的电子产品都离不开IC，从身份证到公交乘车卡，从家用电器到儿童电子玩具，从个人电脑到巨型计算机……没有IC是不可想像的。晶体管能够基于输入电压控制输出电流。作用晶体管联系方式
晶体管作为一种可变电流开关。广东电路晶体管
我们在上面的NPN晶体管中讨论过，它也处于有源模式。大多数电荷载流子是用于p型发射极的孔。对于这些孔，基极发射极结将被正向偏置并朝基极区域移动。这导致发射极电流Ie。基极区很薄，被电子轻掺杂，形成了电子-空穴的结合，并且一些空穴保留在基极区中。这会导致基本电流Ib非常小。基极集电极结被反向偏置到基极区域中的孔和集电极区域中的孔，但是被正向偏置到基极区域中的孔。集电极端子吸引的基极区域的剩余孔引起集电极电流Ic。在此处查看有关PNP晶体管的更多信息。广东电路晶体管
