VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---比较大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（比较高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压、死区电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压。 按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。苏州电源晶体管
半导体三极管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分常见。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得比较普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个单独的元件。半导体三极管是电路中应用比较常见的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 收音机晶体管价格放大系数 是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
晶体管重要性晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分***。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个的元件。晶体管是半导体三极管中应用***的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。晶体管被认为是现代历史中伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---比较大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
Ⅳ---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
晶体管就是在晶圆上直接雕出来的，晶圆越大，芯片制程越小；
参见晶体三极管特性曲线2-18图所示：图2-18晶体三极管特性曲线3、晶体三极管共发射极放大原理如下图所示：A、vt是一个npn型三极管，起放大作用。B、ecc集电极回路电源（集电结反偏）为输出信号提供能量。C、rc是集电极直流负载电阻，可以把电流的变化量转化成电压的变化量反映在输出端。D、基极电源ebb和基极电阻rb，一方面为发射结提供正向偏置电压，同时也决定了基极电流ib.图2-19共射极基本放大电路E、cl、c2作用是隔直流通交流偶合电容。F、rl是交流负载等效电阻。晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件。东莞单结晶体管
交流放大倍数是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，用hfe或β表示。苏州电源晶体管
“晶体管是三脚昆虫型组件，在某些设备中单独放置但是在计算机中，它被封装成数以百万计的小芯片。”晶体管由三层半导体组成，它们具有保持电流的能力。诸如硅和锗之类的导电材料具有在导体和被塑料线包围的绝缘体之间传输电流的能力。半导体材料通过某种化学程序（称为半导体掺杂）进行处理。如果硅中掺有砷，磷和锑，它将获得一些额外的电荷载流子，即电子，称为N型或负半导体；而如果硅中掺有其他杂质（如硼），镓，铝，它将获得较少的电荷载流子，即空穴，被称为P型或正半导体。苏州电源晶体管
