二极管（diode）的结构与特点
二极管虽然相对简单些但是其种类也是比较多的。虽然它只有一个PN结但通过不同的制造工艺和材料可以制作成整流、检波、稳压、开关、发光等用途非常多的二极管。
二极管、晶体管、MOS管联系和区别
通过以上的距离由此我们得出这些器件都是由半导体PN结组成；通过不同的制造工艺实现不同的功能，比如三极管是电流控制器件而MOS管则是电压控制器件；由于三极管的输出电流是比较大的，可以产生较大的功率作为后级驱动器件但是其功耗比较大；三极管称为“双极型器件”，基区是由少子导电，发射区和集电区是由多子导电、那么场效应管是“单极性器件”，只有一种载流子工作。 所以平面晶体管通常也是所谓漂移晶体管。温州NPN晶体管
2015年，北美占据了FinFET市场的大多数份额。2016到2022年，亚太区市场将以年复合增长率比较高的速度扩大。一些亚太地区的国家是主要的制造中心，将为的FinFET技术的发展提供充足机会。智能手机和自动汽车对于高性能CPU需求的不断增长是推动该地区市场的因素。这份全球性的报告主要对四个地区的市场做了详细分析，分别是北美区、欧洲区、亚太区和其他区（包括中东和非洲）。这份报告介绍了FinFET市场上10个有前途的国家成员。市场的竞争格局呈现了一个很有意思画面：FinFET市场价值链的原始设备制造商、零部件制造商和系统集成商已经走到了一起，他们大多数都聚焦于提高和完善FinFET产品的开发。市场的主要参与者是英特尔（美国）、台积电（中国台湾）、三星（韩国）、格罗方德半导体（美国）。 珠海作用晶体管晶体管能够基于输入电压控制输出电流。
晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b,发射极e和集电极c。晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。
如果晶体管为PNP型，则通常处于ON状态，但不是可以说是完美的，直到基脚完全接地为止。将基极引脚接地后，晶体管将处于反向偏置状态或被称为导通状态。作为提供给基极引脚的电源，它停止了从集电极到发射极的电流传导，并且晶体管处于截止状态或正向偏置状态。为保护晶体管，我们串联了一个电阻，使用以下公式查找该电阻的值：RB=VBE/IB。双极结型晶体管（BJT）p双极结型晶体管由掺杂的半导体组成，具有三个端子，即基极，发射极和集电极。在该过程中，空穴和电子都被涉及。通过修改从基极到发射极端子的小电流，流入集电极到发射极的大量电流切换。这些也称为当前控制的设备。如前所述，NPN和PNP是BJT的两个主要部分。BJT通过将输入提供给基极来开启，因为它的所有晶体管阻抗都比较低。所有晶体管的放大率也比较高。
按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---比较大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向比较大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---比较大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值。 晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式。长沙场效应晶体管
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管和场效应晶体管。温州NPN晶体管
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。
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