电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。常见的有二极管等。电子元器件包括:电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证，美国的UL认证，德国的VDE和TUV以及中国的CQC认证等国内外认证，来保证元器件的合格。 晶体管是有电信号放大功能与切换功能的相当有有发表性的半导体器件。湖南双极晶体管
FinFET称为鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET),是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。一种半导体器件包括在硅衬底上形成的鳍式场效应晶体管(FinFET)和鳍式电容器。该鳍式电容器包括硅鳍片、位于硅鳍片之间的一个或多个导电体、以及位于硅鳍片和一个或多个导电体之间的绝缘材料。据市场研究报告：2015年到2022年，鳍式场效应晶体管（FinFET）的市场估值将从。2016年到2022年这段时间，复合年均增长率（CAGR）为％。FinFET的市场有一些推动因素，例如半导体设备不断表现出来的小型化特点和性能的提升，不断增长的移动端和电子支付市场，相比体技术有更高的性能、更小的漏电流。基于基本的FinFET技术，市场被细分成22纳米、20纳米、16纳米、14纳米、10纳米和7纳米。英特尔（美国）是家实现22纳米FinFET制程的公司，并主要用于其计算机和服务器的程序上。随着半导体器件小型化的需求不断提高，加之良好的性能参数和低功耗的要求，未来7nm的FinFET技术将高速发展。 合肥晶体管品牌企业交流放大倍数是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，用hfe或β表示。
“晶体管是三脚昆虫型组件，在某些设备中单独放置但是在计算机中，它被封装成数以百万计的小芯片。”晶体管由三层半导体组成，它们具有保持电流的能力。诸如硅和锗之类的导电材料具有在导体和被塑料线包围的绝缘体之间传输电流的能力。半导体材料通过某种化学程序（称为半导体掺杂）进行处理。如果硅中掺有砷，磷和锑，它将获得一些额外的电荷载流子，即电子，称为N型或负半导体；而如果硅中掺有其他杂质（如硼），镓，铝，它将获得较少的电荷载流子，即空穴，被称为P型或正半导体。
电感的单位是亨(H)，也常用毫亨(mH)或微亨(uH)做单位。1H=1000mH，1H=1000000uH。电感只能对非稳恒电流起作用，它的特点两端电压正比于通过他的电流的瞬时变化率(导数)，比例系数就是它的“自感”电感起作用的原因是它在通过非稳恒电流时产生变化的磁场，而这个磁场又会反过来影响电流，所以，这么说来，任何一个导体，只要它通过非稳恒电流，就会产生变化的磁场，就会反过来影响电流，所以任何导体都会有自感现象产生在主板上可以看到很多铜线缠绕的线圈，这个线圈就叫电感，电感主要分为磁心电感和空心电感两种，磁心电感电感量大常用在滤波电路，空心电感电感量较小，常用于高频电路。 晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式。
按功能结构分类：集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。按制作工艺分类：集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。按导电类型不同分类：集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。按用途分类：集成电路按用途可分为电视机用集成电路。音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种集成电路。IC由于体积小、功能强大、功耗低等优点，现在几乎所有的电子产品都离不开IC，从身份证到公交乘车卡，从家用电器到儿童电子玩具，从个人电脑到巨型计算机……没有IC是不可想像的。晶体管包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。温州晶体管直销
晶体管作为一种可变电流开关。湖南双极晶体管
晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b,发射极e和集电极c。晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源。 湖南双极晶体管
