三极管三极管是电流控制型器件，基极（B）的电流控制发射极（E）和集电极（C）之间的电流。下面以NPN管为例图示如下。NPN管的原理图示三极管好像是一个为了取小水而漏掉大水的例子。如上图所示，当不取水时，阀门关闭了大小管道，都没有电流。当通过小管道开启阀门取一点水的时候，水就会漫过阀门空隙流到大管道另外一端。当阀门开的越大，漏掉的水就越多，好像小水流可以控制大漏水一样，这就是线性工作区。如果阀门开大到一定程度，管子满了，那么再开大阀门也不会增加水流了，这就是饱和工作区。MOS管和三极管的特点有点相似：它们都可以做开关（饱和区），也都可以做放大器（线性区）使用。但是MOS管由于栅极与源漏之间是隔开的，没有像三极管那样直接联通，所以使用起来，各电极之间信号更干净更容易控制。所以MOS管已经是集成电路的主力了。 或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。福建肖特基二极管
电感的单位是亨(H)，也常用毫亨(mH)或微亨(uH)做单位。1H=1000mH，1H=1000000uH。电感只能对非稳恒电流起作用，它的特点两端电压正比于通过他的电流的瞬时变化率(导数)，比例系数就是它的“自感”电感起作用的原因是它在通过非稳恒电流时产生变化的磁场，而这个磁场又会反过来影响电流，所以，这么说来，任何一个导体，只要它通过非稳恒电流，就会产生变化的磁场，就会反过来影响电流，所以任何导体都会有自感现象产生在主板上可以看到很多铜线缠绕的线圈，这个线圈就叫电感，电感主要分为磁心电感和空心电感两种，磁心电感电感量大常用在滤波电路，空心电感电感量较小，常用于高频电路。高压二极管报价包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极 管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。
导体三极管的主要参数a;电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极比较大允许电流、集电极比较大允许功率损耗。半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。a;半导体三极管的三种基本的放大电路。
三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。三极管是一种电流控制电流的半导体器件，具有电流放大、用作开关、代换等多种作用，现已***存在于各电路中。TVS的钳位特性TVS属限压型浪涌保护器件，能对过电压起钳位作用，将浪涌电压限制在安全耐压范围内，从而保护后面的负载电路。根据电路的基本理论，按照环路电压分析法，从图2可以看出，电路的输出电压Voutput可由式（1）得到：若设浪涌电压Vg为8kV,Rg为330Ω，RS为Ω，TVS的VBR为6V,则i≈24A,那么由式（1）得Voutput=10V.。 所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
故L型滤波器又称为K常数滤波器。倘若一滤波器的构成部分，较K常数型具有较尖锐的截止频率（即对频率范围选择性强），而同时对此截止频率以外的其他频率只有较小的衰减率者，称为m常数滤波器。所谓截止频率，亦即与滤波器有尖锐谐振的频率。通带与带阻滤波器都是m常数滤波器，m为截止频率与被衰减的其他频率之衰减比的函数。每一m常数滤波器的阻抗与K常数滤波器之间的关系，均由m常数决定，此常数介于0～1之间。当m接近零值时，截止频率的尖锐度增高，但对于截止频的倍频之衰减率将随着而减小。合于实用的m值为。至于那一频率需被截止，可调节共振臂以决定之。m常数滤波器对截止频率的衰减度，决定于共振臂的有效Q值之大小。若达K常数及m常数滤波器组成级联电路，可获得尖锐的滤波作用及良好的频率衰减。一旦确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。佛山场效应管
晶体管之所以能够大规模使用是因为它能以极低的单位成本被大规模生产。福建肖特基二极管
三极管各区的工作条件：
1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：
2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；
3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。
11、半导体三极管的好坏检测
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
福建肖特基二极管
