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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

过电压会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。


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选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。


1.可控硅模块的冷却及环境条件:

(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;

(4)空气相对湿度≤85%;

(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;

(6)气压86—106Kpa;

(7)无剧烈震动或冲击;

(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。 威海高压可控硅模块配件淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进,共创未来!

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可控硅模块主要优点如下:

(1)采用进口方形可控硅支撑板,降低了可控硅模块的电压,功耗低,效率高,节能效果好。

(2)采用进口插入元件,保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。

(3)(DCB)陶瓷铜板采用独特的处理和特殊的焊接工艺,保证了晶闸管组件的焊接层无空腔,导热性好。

(4)导热绝缘包装材料具有优异的隔热防潮性能。

(5)触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离,导热基板不带电,介电强度≥2500V,保证安全。

(6)通过输入0-10V直流控制信号,可以平滑地调节主电路的输出电压。

(7)可采用手动控制、仪表控制或微机控制。

(8)适用于电阻和电感负载。

可控硅模块与其它功率器件一样,工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去,就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化,直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中相当主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作,设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要,千万不可大意!散热器的常用散热方式有:自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是:控制模块中管芯的结温Tj不超过产品数据表给定的额定结温淄博正高电气有限公司欢迎朋友们指导和业务洽谈。

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可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的频率,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。淄博正高电气有限公司团结、创新、合作、共赢。威海高压可控硅模块配件

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可控硅模块的分类可控硅模块从X芯片上看,可以分为可控模块和整流模块两大类,从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。济宁快恢复可控硅模块品牌

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