3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
双极结型晶体管（BJT）p双极结型晶体管由掺杂的半导体组成，具有三个端子，即基极，发射极和集电极。东莞整流二极管
高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
高压二极管比较便宜现今比较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
TVS1.5KE100A反向电压电流曲线
1N5404是一款**率整流二极管，正向平均电流3A，反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线：
1N5404整流二极管反向电压电流曲线
肖特基二极管前向导通电压比较低，用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。
1N5817是一款整流肖特二极管，数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升，随着电流增加，反向电压反而下降，呈现明显的复阻抗特性。
三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。三极管是一种电流控制电流的半导体器件，具有电流放大、用作开关、代换等多种作用，现已***存在于各电路中。TVS的钳位特性TVS属限压型浪涌保护器件，能对过电压起钳位作用，将浪涌电压限制在安全耐压范围内，从而保护后面的负载电路。根据电路的基本理论，按照环路电压分析法，从图2可以看出，电路的输出电压Voutput可由式（1）得到：若设浪涌电压Vg为8kV,Rg为330Ω，RS为Ω，TVS的VBR为6V,则i≈24A,那么由式（1）得Voutput=10V.。 二极管是由半导体组成的器件。
利用TVS的钳位特性，将8kV危险浪涌电压削减到10V的安全电压。需要注意的是，以上电路应满足Rggt;RSRLoadgt;RS这一条件。TVS在TN电源系统的应用雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部，造成电气电子设备失效、误动作，甚至造成设备的损坏，造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值，其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV和TVS,实施两级保护，并对L、N线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV作为第1级SPD保护，泄放大部分雷电流，在线路的末端（设备前端）安装大功率TVS作为第二级SPD保护，进一步削弱过电压波幅值，将电网电压降至E/I安全耐压范围之内，如图3所示。要注意的是，MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合，AB之间的线路长度不应小于5m,否则应增加线路长度或安装退耦器件。 “场效应”的含义是这种晶体管的工作原理是基于半导体的电场效应的。TVS二极管报价
包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极 管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。东莞整流二极管
导体三极管的主要参数a;电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极比较大允许电流、集电极比较大允许功率损耗。半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。a;半导体三极管的三种基本的放大电路。 东莞整流二极管
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