通过W1微调电位器可整定过流电平。当三相交流输入缺相时，本控制板均能对电源实现保护和指示。其原理是：由4#、6#、2#晶闸管的阴极（K）分别取A、B、C三相电压信号（通过门极引线），经过光电耦合器的隔离送到IC6进行检测和判别，一旦出现“缺相”故障时，除了整流触发脉冲外，还驱动“”LED指示灯以及报警继电器。为了使控制电路能够更可靠准确的运行，控制电路上还设置了启动定时器和控制电源欠压检测保护。在开机的瞬间，控制电路的工作是不稳定的，设置一个3秒钟左右的定时器，待定时过后，才容许输出触发脉冲。这部分电路由IC2B等元件构成。若由于某种原因造成控制板上直流供电电压过低，稳压器不能稳压，亦会使控制出错。设置一个欠压检测电路（由IC2A等组成），当电压低于整流触发脉冲，防止不正确的触发，同时点亮“”LED批示灯和驱动报警继电器。自动重复起动电路在IC8内部。微动开关DIP-1用于关闭自动重复起动电路。Q2组成中频过电压检测，输入到IC6的29P，整流触发脉冲；驱动“”LED指示灯亮和驱动报警继电器；同时使过压保护振荡器起振。过电压保护动作后，也像过流保护一样，只有通过复位信号或通过关机后再开机进行“上电复位”，方可再次运行。正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种，为用户提供了更多的选择空间。青岛MTAC600晶闸管智能模块厂家
可以自动调节负载阻抗的匹配，达到恒功率输出，可以制成“快速熔炼”的中频电源，达到节时、节电、提高网侧功率因数的目的（此功能也可被送掉）。逆变部分的主要电路均在QXPU-1大规模集成电路的内部，亦是数字电路。QXPU-1控制板全板*有7只集成电路、6只晶体管、6只微调电位器、32个引出端子，安装十分方便，适用于各种晶闸管并联谐振中频电源。MPU-2控制板在设计中征求了多方面的意见，采取了有效措施，使得调试极为方便，大多数参数的都由电路内部自动设定，需要用户调整的只有6只电位器的参数设定，所以具有极强的通用性和互换性。2、产品名称产品名称：恒功率晶闸管中频电源控制板3、适用装置适用于400HZ-10KHZ各种晶闸管并联谐振中频电源。4、正常使用条件。℃，不高于+40℃。比较大相对湿度不超过90%（20℃±5℃时）。，无腐蚀金属和破坏绝缘的气体或蒸汽。。5、主要技术参数：100V~660V（50HZ）（注意R3、R7、R11的匹配）：单相17V/2A。：AC12V/15mA。：AC12V/5mA三相输入。：α=0~130°。：小于1°。：≥600μS、双窄、间隔60°。：触发脉冲峰值电压：≥12V触发脉冲峰值电流：≥1A触发脉冲前沿陡度：≥μS：400HZ~10KHZ。：1/16×逆变频率。青岛MTAC600晶闸管智能模块厂家正高电气拥有业内**人士和高技术人才。
晶闸管智能模块电流规格的选取方法
考虑到晶闸管智能模块产品一般都是非正弦电流，存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素，且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差，在选取模块电流规格时需要留出一定余量。推荐选择方法可按照以下公式计算：
I>K×I负载×U较大∕U实际
K ：安全系数，阻性负载K= 1.5，感性负载K= 2；
I负载：负载流过的较大电流； U实际：负载上的较大电压；
U较大：模块能输出的较大电压；（三相整流模块为输入电压的1.35倍，单相整流模块为输入电压的0.9倍，其余规格均为1.0倍）；
I：需要选择模块的较大电流,模块标称的电流一定要大于该值。
例：某系统用三相整流模块电炉调温，380V输入，输出电流130A，输出直流电压可调350V～450V，应选择什么型号的模块？
选择方法：三相整流模块，380V输入，较大输出直流电压为380×1.35=513V,电炉为阻性负载,按公式输出电流应不小于1.5×130×513/350=285.81A,可选取接近（但一定要大于）值，即320A的模块，型号为:3MTDC320。
晶闸管智能模块的应用领域
晶闸管智能模块普遍应用于温度控制、调光、励磁、电镀、电解、充放电、焊机、等离子弧焊、逆变电源等领域，如工业、通讯、等电气控制、电源等。根据模块的控制端口，可以与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，可实现过热、缺乏等保护功能。
晶闸管智能模块的控制方式
该输入模块控制该接口的可调节电压或电流信号，该模块的输出电压可通过调整该信号的大小来平稳地调节，以实现将该模块的输出电压从0V切换到任意一个或全部的过程。
电压或电流信号可从各种控制仪表和计算机D/A输出中获取，电位器可直接与直流电源分开，控制信号采用3种常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。
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电压很容易对晶闸管模块造成损坏，那么，我们就要了解过电压保护，保护晶闸管模块，不让其受过电压损坏。要保护晶闸管，就要知道过电压是怎么产生的？从而去避免。以下是为大家列举的详细情况：晶闸管模块对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管模块就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管模块是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高。以客户至上为理念，为客户提供咨询服务。淄博MTAC600晶闸管智能模块报价
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晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。青岛MTAC600晶闸管智能模块厂家
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