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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
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7、半导体二极管的识别方法:


a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.


b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.


c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。


测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:。整流桥二极管价格

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变容二极管的检测


  1.正、负极的判别 有的变容二极管的一端涂有黑色标记,这一端即是负极,而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环,红色环的一端为正极,黄色环的一端为负极。


  也可以用数字万用表的二极管档,通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管,在测量其正向电压降时,表的读数为;测量其反向电压降时,表的读数显示为溢出符号“1”。在测量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管的正极,黑表笔接的是变容二极管的负极。


  2.性能好坏的判断 用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管,其正、反向电阻值均为∞(无穷大)。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0,则是该二极管漏电或击穿损坏。


整流桥二极管销售代理FET只由一种载流子(多数载流子)参与导电,因此也称为单极型晶体管。

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三极管基极偏置电路分析**为困难,掌握一些电路分析方法可以方便基极偏置电路的分析。


1、电路分析的***步是在电路中找出三极管的电路符号,如图所示,然后在三极管电路符号中后找出基极,这是分析基极偏置电路的关键一步。


2、第二步从基极出发,将与基极和电源端相连的所有元器件找出来,如图所示,电路中的RB1,再将基极与地端相连的所有元器件找出来,如电路中的RB2,这些元器件构成基极偏置电路的主体电路。


上述与基极相连的元器件中,要区别哪些元器件可能是偏置电路中的元器件。电阻器有可能构成偏置电路,电容器具有隔直作用而视为开路,所以在分析基极直流偏置电路时,不必考虑电容器。


3、第三步确定偏置电路中的元器件后,进行基极电流回路的分析,如图所示。基极电流回路是:直流工作电压VCC→偏置电阻RB1→VT1基极→VT1发射极→VT1发射极电阻RE→地端。


半导体三极管


1、半导体三极管英文缩写:Q/T


2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。


3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。


按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。


4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。



部分二极管所具备的电流方向性,通常称之为“整流”功能。

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9、稳压二极管的基本知识


a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。


b、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。


c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表:


型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761


稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V



晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。S9014三极管制造商

单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子,因此它将较大降低功耗,提高集成电路的集成度。整流桥二极管价格

高压硅堆的检测


  高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。



变阻二极管的检测


  用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值,正常的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为Ω,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明被测变阻二极管已损坏。


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