半导体二极管
1、英文缩写：D (Diode)，电路符号是
2、半导体二极管的分类
分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管；
b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:
a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.
B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.
5、半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
晶体二极管在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。放电管制造商
MOS管
现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异，N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。
IXFK38N80是一款大功率MOS管，称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为：击穿电压Vds = 800V，工作电流：38A。
下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线，它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。
IXFK38N80击穿电压电流曲线
通常情况下，MOS管耐压越高，导通电阻就越大，使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。
G40N60是手边的一款IGBT，手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。
G40N60击穿电压电流曲线
IGBT中由于存在双极性三极管，它是利用少数载流子完成电流导通，所以IGBT的截止时间较长，无法工作在高频电路中。
近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题，在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。
C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。
C2M008012碳化硅MOS管
但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题，主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。
东莞达林斯管二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。
普通一）普通二极管的检测 （包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
在三极管be之间增加偏置电阻，测量Vce击穿电压
下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下，C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。
所以在正常设计三极管电路的时候，需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。
在不同的Rbe的阻值下，Vce的击穿电压曲线
由于三极管的发射区掺杂浓度很高，B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。
因此，在使用三极管的时候，如果错把集电极和发射极弄混，除了会引起电流放大倍数的下降之外，因为Vebo,Vceo的差异，电路中的三极管的也会被击穿。
和二极管一样，半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。
两个不同批次的S8050Vceo的电压
二极管比较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过，反向时阻断 。东莞达林斯管
双极结型晶体管（BJT）p双极结型晶体管由掺杂的半导体组成，具有三个端子，即基极，发射极和集电极。放电管制造商
7、用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表).
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位.
b;判别半导体三极管基极：
用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。
c;.判别半导体三极管的c极和e极：
确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。
d; 判别半导体三极管的类型.
如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果 测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管.
放电管制造商
深圳市凯轩业科技有限公司主要经营范围是电子元器件，拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。公司自成立以来，以质量为发展，让匠心弥散在每个细节，公司旗下二三极管，晶体管，保险丝，电阻电容深受客户的喜爱。公司从事电子元器件多年，有着创新的设计、强大的技术，还有一批**的专业化的队伍，确保为客户提供良好的产品及服务。凯轩业电子立足于全国市场，依托强大的研发实力，融合前沿的技术理念，飞快响应客户的变化需求。
